[发明专利]制造太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

形成包括无定形半导体层的光电转换器；

形成连接到所述光电转换器的电极；和

通过在形成所述电极之后或者与形成所述电极同时地向所述光电转换器和所述电极提供光而执行后处理，

其中，所述电极包括使用透明传导材料在整个传导区域之上形成的第一电极层，和在所述第一电极层上形成并且具有图案的第二电极层，

其中，形成所述第二电极层包括：

形成包括溶剂、传导材料和结合剂的膏剂层；和

干燥所述膏剂层以便形成包括所述传导材料和所述结合剂的所述第二电极层，并且

执行后处理的温度为100至300度，

其中，所述制造太阳能电池的方法在300℃或者更低的处理温度执行，并且

其中，所述膏剂层不含玻璃熔料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光电转换器包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的隧穿膜；和

位于所述隧穿膜上的传导区域，并且

其中所述隧穿膜和所述传导区域中的至少一个被配置为所述无定形半导体层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述传导区域被配置为无定形硅层、无定形碳化硅层或者无定形氧化硅层，并且包括p型或者n型掺质，并且

其中所述隧穿膜被配置为本征无定形硅层、无定形碳化硅层或者无定形氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述隧穿膜包括位于所述半导体衬底的第一表面上的第一隧穿膜，和位于所述半导体衬底的第二表面上的第二隧穿膜，并且

其中所述传导区域包括位于所述第一隧穿膜上的第一传导区域，和位于所述第二隧穿膜上的第二传导区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，连同光一起提供热。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，光具有在从100W/m²到30000W/m²的范围内的发光强度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在执行所述后处理时，光的发光强度在从100W/m²到20000W/m²的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，氙灯、卤素灯、激光、等离子体照明系统(PLS)和发光二极管(LED)中的任何一个被用作光源。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，光具有在从300nm到1000nm的范围内的波长。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，处理时间在从30秒到1小时的范围内。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述后处理的执行可以在所述电极的形成之后执行，或者可以与所述电极的形成的至少一部分同时地执行。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述后处理的执行可以在所述干燥之后或者与所述干燥同时地执行。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述后处理包括第一操作和第二操作，并且

其中所述第一操作仅提供热，并且所述第二操作一起提供热和光。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述第二操作中提供的热具有等于或者高于在所述第一操作中提供的热的温度的温度。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，在执行所述后处理时，光具有等于或者小于400nm的波长并且具有在从100W/m²到5000W/m²的范围内的发光强度。