[发明专利]SSD主控Buffer、SSD主控及SSD非对齐写数据传输控制方法有效

专利信息
申请号: 201611177857.6 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106776404B 公开(公告)日: 2020-04-07
发明(设计)人: 李雷;陈旭光;杨万云;周士兵;彭鹏;马翼;田达海 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G06F13/28 分类号: G06F13/28
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 卢宏;王娟
地址: 410131 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: ssd 主控 buffer 对齐 数据传输 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种SSD主控缓存,包括多个存储单元;其特征在于,还包括WD Flag空间和RD Flag空间,且每个存储单元在WD Flag空间中都有专属的L比特信息描述该存储单元的可写入状态,每个存储单元在RD Flag空间中都有专属的L比特信息描述该存储单元的可读取状态;若某存储单元对应的WD flag空间专属的L比特信息为状态0,则表示Write DMA可写该存储单元;若该存储单元对应的WD flag为状态1,则表示该存储单元已由Write DMA写满或者为Read DMA写数据预留空间;若某存储单元对应的RD Flag空间专属的L比特信息为状态0,则表示Read DMA可写该存储单元,若该存储单元对应的RD Flag空间专属的L比特信息为状态1,则表示该存储单元由Write DMA写满或者由Read DMA写满;在非对齐场景下,所述WriteDMA将执行读填充缓存空间的WD flag置位,以使所述READ DMA完成写所述读填充缓存空间数据,同时完成读所述读填充缓存空间和非unit对齐部分的数据。

2.根据权利要求1所述的缓存,其特征在于,L>=1。

3.根据权利要求1所述的缓存,其特征在于,所述存储单元大小为512字节。

4.一种SSD主控,包括CPU、Write DMA和Read DMA;其特征在于,还包括权利要求1~3之一所述的缓存;所述Write DMA将非unit对齐部分part1的数据传输地址和长度上报给CPU;所述CPU根据传输地址和长度,计算part2、part3的传输起始地址和长度,计算part1+part2+part3的传输起始地址和数据长度,依次向Read DMA下发写part2数据请求、写part3数据的请求、读part1+part2+part3数据请求;其中,part1即非unit对齐部分;part3即末尾unit需要读填充部分;READ DMA完成写part2、part3数据,同时完成part1+part2+part3数据读取。

5.一种利用权利要求4所述的SSD主控对SSD非对齐写数据进行传输控制的方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)Write DMA将写指针移动到下一个unit,将起始unit需要读填充部分,即part2,对应的WD flag空间专属的L比特信息置1,同时启动part1数据传输,并上报CPU传输地址和长度;

2)CPU根据传输地址和长度,计算part2、part3的传输起始地址和长度,计算part1+part2+part3的传输起始地址和数据长度,依次向Read DMA下发写part2数据请求、写part3数据的请求、读part1+part2+part3数据请求;其中,part1即非unit对齐部分;part3即末尾unit需要读填充部分;

3)READ DMA完成写part2、part3数据,Read DMA完成part1+part2+part3数据读取。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,步骤1)中,若Write DMA将写指针从当前unit移动到下一个unit时,超过buffer边界,则读写到缓存右边界时,下一次读写位置自动跳转到缓存的左边界起始位置进行读写。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,步骤1)中,启动part1数据传输的规则为:

A)若Write DMA需要写某存储单元时,发现该存储单元对应的WD flag空间专属的L比特信息为状态0,则立即将数据写入该空间,写该存储单元后,立即将与该存储单元对应的WD flag空间和RD flag空间专属的L比特信息状态置1;

B)若Write DMA需要写某存储单元时,发现该存储单元对应的WD flag空间专属的L比特信息为状态1,则暂停Write DMA的数据传输,直至该存储单元对应的WD flag空间专属的L比特信息被其他模块清0后,Write DMA再按规则A)继续数据传输。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南国科微电子股份有限公司,未经湖南国科微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611177857.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top