[发明专利]基站射频信号收发电路、射频发射电路及信号发送方法有效

专利信息
申请号: 201611178383.7 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN106849981B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 蓝群;刘德复 申请(专利权)人: 力同科技股份有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/04;H04B1/00
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 江婷
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基站 射频 信号 收发 电路 发射 发送 方法
【权利要求书】:

1.一种基站射频发射电路,其特征在于,包括射频输入连接器、输出射频连接器以及依次连接的至少两级功率放大器;所述射频输入连接器与所述至少两级功率放大器中的第一级功率放大器的输入端连接,所述输出射频连接器与所述至少两级功率放大器中的最后一级功率放大器的输出端连接;

所述各级功率放大器的工作频率包含至少两个发射射频信号频段;

所述射频输入连接器用于同时接收至少两个频段在所述至少两个发射射频信号频段内的发射射频信号并依次经所述至少两级功率放大器放大处理后通过所述输出射频连接器发出。

2.如权利要求1所述的基站射频发射电路,其特征在于,所述各级功率放大器的工作频率包含三个发射射频信号频段。

3.如权利要求2所述的基站射频发射电路,其特征在于,所述各级功率放大器的工作频率为1.8GHz至2.7GHz。

4.如权利要求1-3任一项所述的基站射频发射电路,其特征在于,还包括连接于所述最后一级功率放大器的输出端与所述输出射频连接器的输入端之间的耦合器;

所述耦合器用于对所述最后一级功率放大器放大处理后的发射射频信号进行耦合处理后输出至所述输出射频连接器。

5.如权利要求1-3任一项所述的基站射频发射电路,其特征在于,所述至少两级功率放大器中的至少一级功率放大器为Doherty功率放大器。

6.如权利要求5所述的基站射频发射电路,其特征在于,包括依次连接的第一级功率放大器、第二级功率放大器以及第三级功率放大器,所述第三级功率放大器为Doherty功率放大器。

7.一种基站射频信号收发电路,其特征在于,包括射频信号接收电路以及如权利要求1-6任一项所述的基站射频发射电路;

所述射频信号接收电路包括与所述输出射频连接器连接的低噪声放大器以及与所述低噪声放大器的输出端连接的射频输出连接器;

所述输出射频连接器用于将接收到的接收射频信号经所述低噪声放大器放大处理后经所述射频输出连接器输出。

8.如权利要求7所述的基站射频信号收发电路,其特征在于,还包括连接于所述低噪声放大器以及所述射频输出连接器之间的带通滤波器,所述带通滤波器用于对所述低噪声放大器放大处理后的接收射频信号进行滤波处理后再输出至所述射频输出连接器。

9.如权利要求7或8所述的基站射频信号收发电路,其特征在于,还包括模式控制电路,所述模式控制电路包括模式选择开关以及模式控制开关;

所述模式控制开关包括TDD模式控制开关和FDD模式控制开关;所述TDD模式控制开关包括TDD模式发射控制子开关和TDD模式接收控制子开关;

所述模式选择开关的一侧与所述输出射频连接器连接,另一侧分别与所述TDD模式控制开关和FDD模式控制开关连接,所述TDD模式控制开关的TDD模式发射控制子开关和TDD模式接收控制子开关分别与所述最后一级功率放大器的输出端以及所述低噪声放大器的输入端连接,所述FDD模式控制开关与所述最后一级功率放大器的输出端以及所述低噪声放大器的输入端连接;

所述模式选择开关用于选择接通所述TDD模式控制开关或所述FDD模式控制开关;

所述TDD模式控制开关的TDD模式发射控制子开关用于根据发射控制信号以将所述最后一级功率放大器的输出端与所述输出射频连接器接通;所述TDD模式接收控制子开关用于根据接收控制信号以将所述低噪声放大器的输入端与所述输出射频连接器接通;

所述FDD模式控制开关用于根据收发控制信号关闭以将所述最后一级功率放大器的输出端以及所述低噪声放大器的输入端与所述输出射频连接器接通。

10.一种基于如权利要求1-6任一项所述的基站射频发射电路的信号发送方法,其特征在于,包括:

将待发送的射频信号依次经所述至少两级功率放大器放大处理后通过所述输出射频连接器发出,所述待发送的射频信号中包括至少两个频段在所述至少两个发射射频信号频段内的射频信号。

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