[发明专利]一种双面散热半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种双面散热半导体元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：形成具有阻挡层(2)的叠合框架(1)，所述叠合框架(1)包括依次向上层叠的引线框架(11)、芯片(12)和铜桥框架(13)，所述引线框架(11)上凸设有所述阻挡层(2)，所述阻挡层(2)环绕所述铜桥框架(13)的外侧连续设置；

S2：向所述阻挡层(2)和所述铜桥框架(13)之间填充液态封装材料(3)，所述液态封装材料(3)的上顶面不超过所述铜桥框架(13)；

S3：将填充有液态封装材料(3)的叠合框架(1)固化。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层(2)的高度比所述铜桥框架(13)的高度低0-0.1mm。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述液态封装材料(3)为液态环氧树脂或绿漆。

4.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述液态封装材料(3)通过印刷或者灌入的方式进行填充。

5.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层(2)为塑胶，所述阻挡层(2)通过注塑成型或涂覆的方式设置于所述引线框架(11)。

6.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层(2)通过3D打印设置于所述引线框架(11)。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层(2)由金属、高聚合物材料或陶瓷经过3D打印形成。

8.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S1中，形成具有阻挡层(2)的叠合框架(1)，具体包括：

形成叠合框架(1)，所述叠合框架(1)包括依次层叠的引线框架(11)、芯片(12)和铜桥框架(13)，在所述引线框架(11)上环绕所述引线框架(11)形成所述阻挡层(2)；或

在引线框架(11)上环绕铜桥框架(13)的区域设置阻挡层(2)，再将具有阻挡层(2)的引线框架(11)、芯片(12)和铜桥框架(13)形成具有阻挡层(2)的叠合框架(1)。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，将引线框架(11)、芯片(12)和铜桥框架(13)形成叠合框架(1)，具体包括：

S11：在引线框架(11)上设置芯片(12)；

S12：在芯片(12)上设置铜桥框架(13)；

S13：回流焊；

S14：焊线。

10.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在叠合框架(1)的下表面设置有胶层(4)，以防止液态封装材料(3)下漏到引线框架(11)下表面。