[发明专利]半导体结构和相关制造方法

说明书

本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体结构和相关制造方法。

背景技术

在平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸缩小方面存在许多挑战。例如，阈值摆幅退化、漏致势垒降低效应(DIBL)、器件特性波动及漏电都是由3-D器件结构所要解决的问题。鳍式场效晶体管(FinFET)是可用于纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)和高密度内存应用的3-D器件结构。具有横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)结构的FinFET可提供高击穿电压(例如，在漏极和源极端之间)。例如，通过载流子(例如，电子)流通路径通过检测区域时，将达到高击穿电压。

发明内容

本公开的实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括衬底；栅极结构，形成在衬底上方；源极区和漏极区，在栅极结构的任一侧形成在衬底中，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及场板，在栅极结构和漏极区之间形成在衬底上方，其中，场板连接到衬底的源极区或块状电极。

本公开的实施例提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：衬底；栅极结构，形成在衬底上方；源极区和漏极区，在栅极结构的任一侧形成在衬底中；以及场板，在栅极结构和漏极区之间形成在衬底上方，其中，栅极结构和场板之间的距离范围为大约0到大约200nm。

本公开的实施例还提供了一种用于制造半导体结构的方法。该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成栅极结构；至少部分地在衬底上方形成场板；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成源极区和漏极区；以及将场板连接到衬底的源极区或块状电极。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1至图8是根据本公开的一个示例性实施例的示出处于不同制造阶段的高压半导体器件的截面图；以及

图9至图16是根据本公开的另一个示例性实施例的示出处于不同制造阶段的高压半导体器件的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同的实施例或实例以实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。而且，本发明在各个实例中可以重复参考数字和/或字母。该重复是出于简明和清楚的目的，而其本身并未指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。