[发明专利]黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件

说明书

本申请提供了一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。该制作方法包括：步骤S1，采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层；步骤S2，在第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层，且使得第一个黑膜层的覆盖区域与设置在第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应，第一个黑膜层与设置在第一个黑膜层上的N‑1个黑膜层形成黑膜，且N≥2；步骤S3，采用等离子体刻蚀法对黑膜的表面形貌进行处理，使得黑膜的表面平整。该制作方法能够制作得到较厚的黑膜，且黑膜的表面形貌较好，表面较平整。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。

背景技术

黑膜(Black Mask，简称BM)，常被设置在液晶面板所使用的滤色镜(colorfilter)的表面上，黑膜包括多个用于遮光的格子区域或者条纹区域，来覆盖相邻的不同颜色像素之间的交界区域，进而分离红色像素、绿色像素以及蓝色像素(即RGB像素)。

现有技术中，黑膜的制备方法通常需要借助紫外光与掩模板来完成，将掩膜版设置在黑色光刻胶的表面上方，紫外光源设置在掩膜版的远离黑色光刻胶的一侧，紫外光经过掩膜版对黑色光刻胶的部分区域曝光，黑色光刻胶属于负性光刻胶，未覆盖区域即被曝光的区域发生变性，对黑色光刻胶进行显影时，由于被曝光的区域的黑色光刻胶发生变性而不会被显影液显掉，进而这部分区域形成用于覆盖区域，其他的被覆盖住的黑色光刻胶被显掉(有时候会在非覆盖区域设置对准标记，该对准标记与覆盖区域在同一个过程形成)。

随着发光器件的不断更新换代，对黑膜的制作要求也是越来越高，如在量子点光致发光器件中，为满足多层的器件结构，常需要制作厚度较大(>1.5μm)的黑膜，而现有方法无法实现，究其根源在于黑膜的高吸光和遮光特性会使得照射在黑色光刻胶上部分的紫外光被吸收，导致紫外光不能很好的照射到厚度较深的下部分黑色光刻胶区域中，最终因无法完全曝光导致厚度较大的黑膜常以失败告终。

现有技术在制作黑膜时，主要存在如下缺点：当制作黑膜厚度较大的图形时，有的底部的黑色光刻胶无法曝光，不会发生交联反应，显影时，被显影液冲掉，即无法形成厚度>2μm的黑膜图形；有的底部的黑色光刻胶曝光不完全，交联反应不完全，显影时，底部的黑膜部分被显影掉，出现凹坑；现有的液态黑色光刻胶，粘度很小，难以涂布形成较厚的膜。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件，以解决现有技术中难以形成较厚的且表面形态较好的黑膜的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种黑膜的制作方法，该制作方法包括：步骤S1，采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层；步骤S2，在上述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层，且使得上述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在上述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应，上述第一个黑膜层与设置在上述第一个黑膜层上的N-1个黑膜层形成黑膜，且N≥2；步骤S3，采用等离子体刻蚀法对上述黑膜的表面形貌进行处理，使得上述黑膜的表面平整。

进一步地，各上述黑膜层厚度小于1.5μm，上述N个黑膜层中的每一个黑膜层的制作过程包括：在基板的表面上或在前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶，上述前黑膜层为与上述基板的距离最大的黑膜层，当制作上述第一个黑膜层时，在上述基板的表面上设置黑色光刻胶，当制作上述第二个至上述第N个黑膜层时，在上述前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶；对上述黑色光刻胶进行预固化，使得上述黑色光刻胶形成不流动的预黑膜层；将掩膜版放置在上述预黑膜层的远离上述基板的表面上，其中，上述掩膜版的透光区域与上述预黑膜层的覆盖区域一一对应；采用紫外光从上述掩膜版的远离上述预黑膜层的一侧对上述预黑膜层进行曝光；采用显影液对包括上述基板与上述预黑膜层的结构或者包括上述基板、黑膜层与上述预黑膜层的结构进行显影以溶解上述预黑膜层中没有被曝光的区域；对显影后的上述预黑膜层进行固化形成上述黑膜层。