[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构有效
申请号: | 201611180720.6 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106601931B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 金江江;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 封装 方法 结构 | ||
本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法,通过在OLED的封装结构中同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层,利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果,利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本发明的OLED封装结构,通过同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层,利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果,利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED封装方法与OLED封装结构。
背景技术
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display,OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
OLED器件通常包括:基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光。具体的,OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED器件通常对水分非常敏感,一旦暴露在湿气中,其阴极可以被氧化,有机层(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)可以被降解,从而降低OLED器件的亮度和使用寿命。因此,OLED器件的封装材料通常需要较强的阻隔外界水氧的能力,以有效提高OLED器件的亮度和使用寿命。
类金刚石(Diamond-Like Carbon,DLC)是一种具有较好的阻隔水氧特性的材料,在OLED的封装领域具有良好的应用前景。早在2005年,Abbas就在Thin Solid Films 482(2005)201–206发表的文章中对类金刚石的水汽透过率(WVTR)、折射率、光透过率进行了系统的研究,结果显示,类金刚石的水汽透过率随厚度的增加而减小,当类金刚石的厚度为70nm左右时,其水汽透过率不再会有明显的降低。另外一方面,在类金刚石中引入少量硅(Si)元素时可以提高其阻隔水氧的能力,但是却会降低其密度、透过率和折射率。因此,如何有效的解决类金刚石的阻隔外界水氧能力与其密度、透过率、折射率之间的矛盾,直接关系到类金刚石的现实应用。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED封装方法,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。
本发明的目的还在于提供一种OLED封装结构,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED封装方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一OLED器件,在所述OLED器件上形成第一阻隔层,所述第一阻隔层整面覆盖所述OLED器件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择