[发明专利]一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器在审
| 申请号： | 201611181127.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107966832A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直流 漂移 铌酸锂 薄膜 强度 调制器 | ||
1.一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括：基底晶片(5)、铌酸锂薄膜(6)、光学波导(2)、调制电极(4)、直流偏压电极(7)，所述基底晶片(5)为石英晶片；所述铌酸锂薄膜(6)具有单晶结构，晶体切向为X切Y传；所述光学波导(2)为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极(4)为推挽型行波式电极结构；所述直流偏压电极(7)为推挽型集总式电极结构。
2.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述基底晶片(5)的厚度为0.1mm至2mm，采用具有低介电常数的材料，如石英晶片或硅基二氧化硅晶片。
3.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜(6)的厚度为1μm至20μm。
4.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述光学波导(2)的波导扩散宽度为1μm至10μm，扩散深度为1μm至10μm。
5.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述调制电极(4)由一根信号电极(4-1)与两根地电极(4-2)组成，其中信号电极(4-1)置于光学波导(2)的中间，两根地电极(4-2)分置于光学波导(2)的左侧和右侧。
6.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述调制电极(4)的厚度为1μm至30μm，信号电极(4-1)的宽度为10μm至100μm，地电极(4-2)与信号电极(4-1)的边缘之间的间距为10μm至30μm。
7.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述直流偏压电极(7)的厚度为0.1μm至30μm。
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