[发明专利]阵列基板及显示面板有效

专利信息
申请号: 201611181209.8 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106647086B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 马亮;叶为平;夏军;王聪;廖作敏;田勇 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括阵列排布的多个像素区域组,每个像素区域组包括第一像素区域和第二像素区域,所述第一像素区域中设置有第一像素,所述第二像素区域中设置有第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和第二像素,所述第一像素的面积与所述第二像素的面积不相同,所述第一像素与所述第一场效应晶体管连接,所述第二像素与所述第二场效应晶体管连接,通过调节所述第一场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,以使所述第一像素的馈通电压与所述第二像素的馈通电压的电压差减小,

每个像素区域组还包括位于所述第一像素区域之上的第三像素区域以及位于所述第二像素区域之上的第四像素区域,所述第三像素区域中设置有第三像素,所述第四像素区域中设置有第四像素,所述第一像素、所述第三像素以及所述第四像素的面积相同,所述第二像素区域中还设置有第三场效应晶体管和第四场效应晶体管,所述第三像素与所述第三场效应晶体管连接,所述第四像素与所述第四场效应晶体管连接,通过分别调节所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,以使所述第三像素的馈通电压和所述第四像素的馈通电压分别与所述第二像素的馈通电压的电压差减小,

通过增加所述第三场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,以使所述第三像素的馈通电压与所述第二像素的馈通电压的电压差减小,并且通过增加所述第四场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,以使所述第四像素的馈通电压与所述第二像素的馈通电压的电压差减小,

通过增加所述第三场效应晶体管的源极或漏极的面积,或者通过增加所述第三场效应晶体管的栅极的面积,以增加所述第三场效应晶体管的源极或漏极与栅极的交叠面积,从而增加所述第三场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容;并且通过增加所述第四场效应晶体管的源极或漏极的面积,或者通过增加所述第四场效应晶体管的栅极的面积,以增加所述第四场效应晶体管的源极或漏极与栅极的交叠面积,从而增加所述第四场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,

所述第二像素为白色像素,所述第一像素选自红色像素、绿色像素和蓝色像素中的任一种,所述第三像素选自红色像素、绿色像素和蓝色像素中的任一种,所述第四像素选自红色像素、绿色像素和蓝色像素中的任一种,并且所述第一像素、所述第三像素和所述第四像素的像素颜色各不相同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,通过增加所述第一场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容,以使所述第一像素的馈通电压与所述第二像素的馈通电压的电压差减小。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,通过增加所述第一场效应晶体管的源极或漏极的面积,以增加所述第一场效应晶体管的源极或漏极与栅极的交叠面积,从而增加所述第一场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容。

4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,通过增加所述第一场效应晶体管的栅极的面积,以增加所述第一场效应晶体管的源极或漏极与栅极的交叠面积,从而增加所述第一场效应晶体管的栅极/源极电容或栅极/漏极电容。

5.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至4中任一项所述的阵列基板。

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