[发明专利]DDRxSDRAM存储器刷新方法及存储器控制器在审

专利信息
申请号: 201611183102.7 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106601286A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 熊明霞;杨万云;周士兵;彭鹏;马翼;田达海 申请(专利权)人: 湖南国科微电子股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 代理人: 卢宏
地址: 410131 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: ddrxsdram 存储器 刷新 方法 控制器
【权利要求书】:

1.一种DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:所述DDRx SDRAM存储器刷新方法包括:

(a)若命令状态机(11)处于忙碌状态时收到刷新请求,且N<M,则命令状态机(11)拒绝刷新请求且拉高第一标志位(14),并且N加1,其中N为第一计数器(13)的值,M为[4,8]内的任一整数;

(b)若N=M,则进行如下步骤:

(b1)拉高第二标志位(15),第一计数器(13)向命令状态机(11)发送紧急刷新请求;

(b2)命令状态机(11)响应紧急刷新请求,并向DDRx SDRAM存储器(3)连续发送M个刷新命令;

(b3)命令状态机(11)拉低第一标志位(14)和第二标志位(15),并且命令状态机(11)对第一计数器(13)进行清零,且命令状态机(11)回到响应紧急刷新请求之前的状态。

2.根据权利要求1所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:还包括:

(c)若命令状态机(11)处于空闲状态时且第一标志位(14)为高,则进行如下步骤:

(c1)第一计数器(13)向命令状态机(11)发送刷新请求;

(c2)命令状态机(11)响应刷新请求,并向DDRx SDRAM存储器(3)连续发送N个刷新命令;

(c3)命令状态机(11)拉低第一标志位(14),并且命令状态机(11)对第一计数器(13)进行清零;

(c4)命令状态机(11)完成刷新命令的发送后,命令状态机(11)回到空闲状态。

3.根据权利要求1所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:还包括:

(d)若命令状态机(11)处于空闲状态时收到刷新请求,则命令状态机(11)响应刷新请求,并向DDRx SDRAM存储器(3)发送刷新命令,命令状态机(11)完成刷新命令的发送后,回到空闲状态。

4.根据权利要求1所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:还包括:

(e)若命令状态机(11)处于空闲状态时收到刷新请求,则命令状态机(11)拒绝刷新请求且拉高第一标志位(14),并且N加1。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:还包括:

(f)若命令状态机(11)在空闲状态时收到来自总线主设备(2)的读命令或写命令,且此时未收到刷新请求且第二标志位(15)为低,则命令状态机(11)进入忙碌状态;

(g)若命令状态机(11)在忙碌状态时,若完成总线主设备(2)的读命令或写命令,则命令状态机(11)返回空闲状态。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法,其特征在于:所述的步骤(a)中,M为8。

7.一种实现权利要求1-6中任一项所述的DDRx SDRAM存储器刷新方法的存储器控制器,其特征在于:所述存储器控制器(1)内设置有命令状态机(11)、刷新计时器(12)、第一计数器(13),所述刷新计时器(12)、第一计数器(13)均与命令状态机(11)连接,所述刷新计时器(12)用于向命令状态机(11)发送刷新请求;所述第一计数器(13)用于向命令状态机(11)发送紧急刷新请求;所述命令状态机(11)用于向DDRx SDRAM存储器(3)发送刷新命令、响应来刷新计时器(12)的刷新请求、响应来自于第一计数器(13)的刷新请求和紧急刷新请求;所述命令状态机(11)具有空闲状态、繁忙状态。

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