[发明专利]一种单片集成距离传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种单片集成距离传感器，该单片集成距离传感器包括：

衬底；

光发射器，其形成于所述衬底，用于发射预定波段的光；

光接收器，其形成于所述衬底，用于接收由外界反射的所述预定波段的光，并产生与接收到的光的强度对应的电信号；

金属电极，其设置于所述衬底表面，与所述光发射器和所述光接收器中的至少一者电连接，所述金属电极位于所述光发射器和所述光接收器之间；以及

金属屏蔽层，其设置于所述光发射器和所述光接收器的表面之外,

其中，

所述衬底表面形成有隔离凹槽，所述隔离凹槽具有位于所述光接收器和所述光发射器之间的部分，

所述隔离凹槽的内壁上形成有非金属屏蔽层。

2.如权利要求1所述的单片集成距离传感器，其中，

所述金属电极的表面设置有非金属屏蔽层，所述非金属屏蔽层的表面设置有所述金属屏蔽层。

3.如权利要求2所述的单片集成距离传感器，其中，

所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极，其中，所述第一金属电极与所述光接收器电连接，所述第二金属电极与所述光发射器电连接。

4.如权利要求1所述的单片集成距离传感器，其中，

所述隔离凹槽的靠近所述光发射器的壁上形成有下层金属屏蔽层，在所述下层金属屏蔽层上形成有所述非金属屏蔽层，在所述非金属屏蔽层的表面形成有上层金属屏蔽层。

5.如权利要求1所述的单片集成距离传感器，其中，

所述隔离凹槽位于所述光发射器四周。

6.如权利要求1所述的单片集成距离传感器，其中，

所述光发射器与所述光接收器之间的距离大于或等于所述预定波段的光在所述衬底中衰减的距离。

7.一种单片集成距离传感器的制造方法，该方法包括：

在衬底中形成光接收器；

在所述衬底中形成光发射器；-

在所述衬底表面形成金属电极，所述金属电极与所述光发射器和所述光接收器中的至少一者电连接，并且所述金属电极位于所述光发射器和所述光接收器之间；以及

金属屏蔽层，其设置于所述光发射器和所述光接收器的表面之外。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中，该方法还包括：

在所述衬底表面形成隔离凹槽，所述隔离凹槽位于所述光接收器和所述光发射器之间。