[发明专利]提高显示面板制程良率的结构有效
申请号: | 201611183909.0 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106783919B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 张合静;葛世民 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 显示 面板 制程良率 结构 | ||
一种提高显示面板制程良率的结构,包括设置在基板上的导线区彩色滤光片和发光区彩色滤光片;其中,发光区彩色滤光片包括:从下至上依次设置在基板上的栅极绝缘层,红绿蓝色阻,刻蚀阻挡层和钝化层;导线区彩色滤光片包括:从上至下依次设置在基板上的第一金属层,栅极绝缘层,红蓝绿色阻,刻蚀阻挡层第二金属层和钝化层。本发明可以有效减小导线间的短路概率,更能有效减小导线由于相互垂直交叠造成的寄生电容,同时还能有效防止色彩滤光片在后续制程中的气体渗出问题,保证机发光二极管(OLED)器件的发光效率和显示寿命。
技术领域
本发明是关于一种提高显示面板制做过程优良率的结构,具体涉及一种有机面板的气体渗出结构。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)显示屏具有高对比度、广色域、响应速度快等特点。由于有源矩阵有机发光二极体具自发光的特色,不需使用背光板,因此比主动式矩阵液晶显示器(AMLCD)更能够做得更轻薄甚至柔性。有源矩阵有机发光二极体显示器的主要通过特定的薄膜晶体管进行控制调节有机发光二极管(OLED)器件的开关和亮度,在调节三原色的比例之后进行画面显示。其中,控制薄膜晶体管往往采用金属氧化物半导体,其不仅有较高的开态电流和较低的关态电流,还有均匀性和稳定性较高的特点。
蒸镀为主的有源矩阵有机发光二极体制程中,为了降低制程难度以及发光材料的色度和亮度的恶化不均,通常采用彩色滤光片和白色有机发光二极管(OLED)的显示方法。如图1所示,导线区彩色滤光片包括设置在玻璃基板上由下至上依次设置的第一金属层(M1)6、栅极绝缘层(GI)5、刻蚀阻挡层(ESL)4、第二金属层(M2)3、钝化层(PV)2、红绿蓝色阻(RGB)1,白色有机发光二极管显示装置背板的彩色滤光片主要在阵列程完成之后进行涂布,即采用传统的COA技术。然而,在导线(如铜)制程不太稳定情况下(又如铝在高温中易产生小丘或绝缘层膜质不太稳定而出现多孔),面板AA区内导线布局之间垂直跨线的地方容易发生短路现象。而且,导线与其中间的绝缘层更容易形成寄生电容,在追求大尺寸高分辨的显示面板中寄生电容的缺点显得尤为突出。同时,彩色滤光片主要为有机材料,而在完成色彩滤光片的制成后后还有较为复杂的制程,后续的制程往往会使色彩滤光片的机材料产生一些杂质气体,导致发光二极管器件受到破坏,影响显示寿命和效果。在有源阵列制程中,一方面难免会有两条导线的重叠,导线跨线(垂直重叠)的地方在制程工艺不稳定,如铜导线的新技术、铝导线在后续的制程中会经历相对高温发生小丘、绝缘层膜质不佳等情况下,容易发现短路。另一方面,在大尺寸高分辨的显示器中导线之间的寄生电容往往影响显示品质。
发明内容
本发明的目的在于克服现有源矩阵有机电致发光二极管制作过程中面板区导线垂直跨线的地方容易短路现象,绝缘层容易产生电容,红绿蓝有机材料产生杂质气体,从而导致有机发光二极管(OLED)器件受破坏的缺点,设计一种提高显示面板制作过程优良率的结构。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
一种提高显示面板制程良率的结构,包括设置在基板上的导线区彩色滤光片和发光区彩色滤光片;
其中,发光区彩色滤光片包括:从下至上依次设置在基板上的栅极绝缘层,红绿蓝色阻,刻蚀阻挡层和钝化层;
导线区彩色滤光片包括:从下至上依次设置在基板上的第一金属层,栅极绝缘层,红蓝绿色阻,刻蚀阻挡层第二金属层和钝化层。
所述的提高显示面板制程良率的结构,其中:发光区彩色滤光片中的刻蚀阻挡层延伸包围所述红绿蓝色阻。
所述的提高显示面板制程良率的结构,其中:导线区彩色滤光片中的刻蚀阻挡层延伸包围所述红绿蓝色阻。
所述的提高显示面板制程良率的结构,其中:导线区彩色滤光片的红绿蓝色阻的厚度与发光区内色彩滤光片的红蓝绿色阻厚度一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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