[发明专利]高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺

权利要求书

1.一种高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺，其特征是，步骤如下：

1.1)、在表面具有氧化层的硅片表面进行一次腐蚀，一次腐蚀深度为75μm～85μm；

1.2)、经一次腐蚀V型槽的硅片，经过光刻掩膜，再对一次腐蚀V型槽进行二次腐蚀，二次腐蚀深度为7μm～10μm，且二次腐蚀台面宽度大于一次腐蚀台面宽度；

1.3)、两次台面腐蚀结束之后，进行玻璃钝化。

2.根据权利要求1所述的高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺，其特征是，所述一次腐蚀的时间为3min～4min，二次腐蚀台面的时间为0.5min～0.8min。

3.根据权利要求1所述的高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺，其特征是，二次腐蚀台面与一次腐蚀台面宽度差为60μm～80μm。

4.根据权利要求1所述的高耐压半导体分立器件芯片二次腐蚀台面工艺，其特征是，玻璃钝化时采用刀刮法，工艺步骤为：

4.1)、刮粉:用清洁的玻璃棒将适量的玻璃粉浆涂在硅片表面上，用单面刀片与水平方向呈45°均匀刮涂在槽内，反复刮涂15次～20次直至槽满为止；然后将硅片放在300W～500W的电炉上烘烤3min～5min，至玻璃粉干燥呈白色状；

4.2)、低温烧结:将刮粉后的硅片在480℃～520℃条件下进行低温烧结，烧结时间20分钟－30分钟，烧结过程中通N2做为保护气体；

4.3)、擦粉：将低温烧结后硅片放在清洁平整的玻璃板上，用橡皮擦轻而平地擦净硅片表面上的玻璃粉；

4.4)、高温烧结：将擦粉后硅片在720℃～880℃条件下进行高温烧结，烧结时间15分钟－20分钟，烧结过程中通N2或者O2做为保护气体；

4.5)、重复上述过程二遍－三遍。