[发明专利]一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201611184316.6 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783174A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,张磊 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 存储器 薄膜 电容 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，自下而上包括：下电极层、铁电薄膜层和上电极层；其中，铁电薄膜层与上、下电极层至少其中之一的之间叠设有缓冲层和散热层。
2.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述缓冲层材料的相对介电常数不高于铁电薄膜层材料的相对介电常数。
3.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述缓冲层材料为SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3、Ta2O5、HfO2、ZrO2、k值小于2.5的超低介电常数材料、六方氮化硼中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述散热层材料为石墨烯。
5.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述上、下电极层材料为Pt、Au、W、Al、Cu、Ir、Ti、TiN、TaN、AlCu中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述铁电薄膜层材料为BaTiO3、BaSrTiO3、PbTiZrO3、BiFeO3、Bi4Ti3O12、BiSr2Ta2O9、LiNbO3、HfO2中的一种或几种，或者为掺杂有La、Ce、Nd、Dy、Ho、Yb、Mn、Cr、Si、Al、Gd中的一种或几种元素的铁电薄膜材料。
7.一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，用于制造权利要求1-6任意一项所述的一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，包括：生长下电极层；生长铁电薄膜层；生长上电极层；还包括：在铁电薄膜层与上、下电极层至少其中之一的之间生长缓冲层和散热层。
8.根据权利要求7所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，其特征在于，所述缓冲层通过热氧化、脉冲激光淀积、分子束外延、磁控溅射、原子层沉积或化学气相沉积方法生长形成。
9.根据权利要求7所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，其特征在于，所述散热层通过机械剥离、低温化学气相沉积、原子气相沉积、SiC热分解或氧化还原方法生长形成。
10.根据权利要求7或9所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，其特征在于，所述散热层厚度为0.5-5nm。
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