[发明专利]一种热插拔供电装置、方法及系统

权利要求书

1.一种热插拔供电装置，其特征在于，包括：至少一个热插拔模块和至少一个热插拔控制模块；其中，所述至少一个热插拔模块和至少一个热插拔控制模块一一对应相连；

每一个所述热插拔模块，分别与外部的电源背板、一个外部的组件以及一个所述热插拔控制模块相连，用于利用所述外部的电源背板提供的供电电压为连接的所述外部的组件供电；

每一个所述热插拔控制模块，用于当检测到连接的所述热插拔模块的当前供电电压不位于设定的电压阈值区间时，调控所述当前供电电压，并实时记录调控时长，当调控时长达到预先设定的时长阈值时，检测到连接的所述热插拔模块的当前供电电压不位于所述设定的电压阈值区间，控制连接的所述热插拔模块停止供电；

所述每一个所述热插拔模块，包括：至少一个电阻和至少一个MOS管，其中，所述电阻和所述MOS管一一对应相连；

每一个所述电阻的第一端分别与所述外部的电源背板和对应的所述热插拔控制模块相连，所述电阻的第二端分别与对应的所述MOS管的漏极和所述热插拔控制模块相连；

每一个所述MOS管的源极与一个外部的组件相连，栅极与对应的所述热插拔控制模块相连；

所述热插拔控制模块，用于当调控时长达到所述预先设定的时长阈值时，检测到连接的所述热插拔模块的当前供电电压不位于所述设定的电压阈值区间，控制连接的所述MOS管的源极与漏极不导通；

所述每一个所述热插拔控制模块，包括：运算放大器、比较器和控制子模块；其中，

所述运算放大器，分别与每一个所述电阻的第一端、每一个所述电阻的第二端以及所述比较器相连，用于采集流经每一个所述电阻的当前电流产生的电压降，利用下述计算公式计算每一个所述电压降对应的放大电压，将所述放大电压发送给所述比较器；

V_i＝kV_i0

其中，所述V_i表征电阻i产生的电压降对应的放大电压；所述V_i0表征电阻i产生的电压降；所述k表征放大系数；

所述比较器，与所述控制子模块相连，用于当检测到所述运算放大器发送的所述放大电压不位于所述设定的电压阈值区间时，发送第一控制指令给所述控制子模块；当检测到所述运算放大器发送的所述放大电压位于所述设定的电压阈值区间时，发送第二控制指令给所述控制子模块；

所述控制子模块，与每一个所述MOS管的栅极相连，用于根据所述比较器发送的所述第一控制指令，将当前输出电压调控至预先设定的供电电压，并实时记录调控时长，当所述调控时长达到所述预先设定的时长阈值时，未收到所述比较器发送的所述第二控制指令，控制每一个所述MOS管中的源极与漏极不导通。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制子模块，包括：电荷泵和逻辑控制器；

所述电荷泵，一端与所述逻辑控制器相连，另一端与每一个所述MOS管的栅极相连，用于将当前输出电压调控至所述预先设定的供电电压，并将所述调控后的供电电压传输给每一个所述MOS管；

所述逻辑控制器，分别与所述比较器和每一个所述MOS管的栅极相连，用于根据所述比较器发送的所述第一控制指令，控制所述电荷泵将当前输出电压调控至所述预先设定的供电电压，并实时记录调控时长，当所述调控时长达到所述预先设定的时长阈值时，未收到所述比较器发送的所述第二控制指令，控制所述电荷泵停止调控，并控制每一个所述MOS管中的源极与漏极不导通，停止为所述外部的组件供电。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：至少一个过热保护模块；所述至少一个过热保护模块与所述至少一个热插拔模块一一对应相连；

每一个所述过热保护模块，与一个所述热插拔模块以及一个所述热插拔控制模块相连，用于检测连接的所述热插拔模块的当前温度，并将所述当前温度发送至连接的所述热插拔控制模块；

每一个所述热插拔控制模块，用于当所述当前温度值达到设定的温度阈值时，控制连接的所述热插拔模块停止供电。