[发明专利]用于制备全息天线的台状有源区固态等离子二极管制造方法

权利要求书

1.一种用于制备全息天线的台状有源区固态等离子二极管制造方法，其特征在于，所述固态等离子二极管用于制作全息天线，所述全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的固态等离子二极管串。

所述制造方法包括步骤：

(a)选取SOI衬底；

(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；

(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；

(d)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述台状有源区；

(e)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；

(f)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；

(g)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子二极管。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(d)之后，还包括：

(x1)利用氧化工艺，对所述台状有源区的侧壁进行氧化以在所述台状有源区侧壁形成氧化层；

(x2)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述台状有源区侧壁的平整化处理。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(e)包括：

(e1)在整个衬底表面淀积第二保护层；

(e2)采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；

(e3)利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；

(e4)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积P型Si材料形成所述P区；

(e5)在整个衬底表面淀积第三保护层；

(e6)采用第三掩膜板，利用光刻工艺在所述第三保护层表面形成N区图形；

(e7)利用湿法刻蚀工艺去除N区图形上的所述第三保护层；

(e8)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积N型Si材料形成所述N区。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤(e4)包括：

(e41)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积P型Si材料；

(e42)采用第四掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述P型Si材料以在所述台状有源区的侧壁形成所述P区；

(e43)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第二保护层。

5.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，步骤(e8)包括：

(e81)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区侧壁淀积N型Si材料；

(e82)采用第五掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述N型Si材料以在所述台状有源区的另一侧壁形成所述N区；

(e83)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第三保护层。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤(f)包括：

(f1)利用CVD工艺，在所述台状有源区四周淀积所述多晶Si材料；

(f2)利用CVD工艺，在整个衬底表面淀积第四保护层；

(f3)利用退火工艺激活所述P区和所述N区中的杂质。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，步骤(g)包括：

(g1)采用第六掩膜版，利用光刻工艺在所述第四保护层表面形成引线孔图形；

(g2)利用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述第四保护层漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引线孔；

(g3)对所述引线孔溅射金属材料以形成金属硅化物；

(g4)钝化处理并光刻PAD以形成所述固态等离子二极管。