[发明专利]OLED显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供薄膜晶体管阵列基板(10)，在所述薄膜晶体管阵列基板(10)上形成间隔设置的数个阳极(20)；

步骤2、在所述数个阳极(20)与薄膜晶体管阵列基板(10)上形成像素定义层(30)，所述像素定义层(30)包括分别对应于所述数个阳极(20)的数个开口区(31)以及位于所述数个开口区(31)之间的非开口区(32)；

步骤3、在所述像素定义层(30)的数个开口区(31)中分别形成设于数个阳极(20)上的数个OLED发光层(40)；

步骤4、在所述数个OLED发光层(40)与像素定义层(30)上形成整面覆盖所述数个OLED发光层(40)与像素定义层(30)的阴极(50)；

步骤5、在所述阴极(50)上形成薄膜封装层(60)，所述薄膜封装层(60)包括层叠且交替设置的多个无机物层(61)与有机物层(62)，其中，每个无机物层(61)的远离所述OLED发光层(40)一侧的表面上对应于所述像素定义层(30)的非开口区(32)的区域具有漫反射粗糙度；

所述步骤5中，在形成每个无机物层(61)后，采用掩膜板(70)对每个无机物层(61)进行等离子体轰击处理，所述掩膜板(70)上设有对应于所述像素定义层(30)的非开口区(32)的开孔(71)，每个无机物层(61)的远离所述OLED发光层(40)一侧的表面上对应所述掩膜板(70)的开孔(71)的区域经过等离子体轰击处理后，形成漫反射粗糙度。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述等离子体为三氟化氮。

3.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述薄膜封装层(60)中，与所述阴极(50)接触的结构层以及最外侧的结构层均为无机物层(61)。

4.如权利要求1所述的OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述阳极(20)为反射电极，所述阴极(50)为半透明电极。

5.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

薄膜晶体管阵列基板(10)；

设于所述薄膜晶体管阵列基板(10)上且间隔设置的数个阳极(20)；

设于所述数个阳极(20)与薄膜晶体管阵列基板(10)上的像素定义层(30)，所述像素定义层(30)包括分别对应于所述数个阳极(20)的数个开口区(31)以及位于所述数个开口区(31)之间的非开口区(32)；

设于所述像素定义层(30)的数个开口区(31)中且分别设于所述数个阳极(20)上的数个OLED发光层(40)；

设于所述数个OLED发光层(40)与像素定义层(30)上且整面覆盖所述数个OLED发光层(40)与像素定义层(30)的阴极(50)；

设于所述阴极(50)上的薄膜封装层(60)，所述薄膜封装层(60)包括层叠且交替设置的多个无机物层(61)与有机物层(62)，其中，每个无机物层(61)的远离所述OLED发光层(40)一侧的表面上对应于所述像素定义层(30)的非开口区(32)的区域具有漫反射粗糙度；

所述薄膜封装层(60)中，每个无机物层(61)的远离所述OLED发光层(40)一侧的表面上对应于所述像素定义层(30)的非开口区(32)的区域的漫反射粗糙度通过等离子体轰击处理获得。

6.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述等离子体为三氟化氮。

7.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层(60)中，与所述阴极(50)接触的结构层以及最外侧的结构层均为无机物层(61)。

8.如权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阳极(20)为反射电极，所述阴极(50)为半透明电极。