[发明专利]一种电流采样电路有效

专利信息
申请号: 201611185680.4 申请日: 2016-12-20
公开(公告)号: CN106771486B 公开(公告)日: 2019-04-12
发明(设计)人: 罗萍;王康乐;邱双杰;刘泽浪;黄龙;黄锴;甄少伟;贺雅娟;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 采样 电路
【权利要求书】:

1.一种电流采样电路,包括采样与时序控制模块、无补偿的误差放大器EA模块和输出级,其特征在于,

所述采样与时序控制模块包括功率管(M_power)、采样镜像管(M_mirror)、保护管(Ms)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第一NMOS管(MN1)和反相器(INV),

功率管(M_power)的漏极作为采样与时序控制模块的输入端,其栅极接栅极驱动信号(PWM),其源极接地,所述采样与时序控制模块的输入端输入电感电流(IL);

采样镜像管(M_mirror)的漏极接所述无补偿的误差放大器EA模块的同相输入端,其栅极接电源电压(Vdd),其源极接地;

保护管(Ms)的漏极与功率管(M_power)的漏极相连,其源极接所述无补偿的误差放大器EA模块的反相输入端,其栅极通过第二电容(C2)后接地;

第一二极管(D1)的阴极连接第一电阻(R1)的一端、反相器(INV)的输入端和功率管(M_power)的栅极,其阳极连接第一电阻(R1)的另一端和保护管(Ms)的栅极;

第二二极管(D2)的阳极接反相器(INV)的输出端和第二电阻(R2)的一端,其阴极接第二电阻(R2)的另一端并通过第一电容(C1)后接地;

第一NMOS管(MN1)的栅极接第二二极管(D2)的阴极,其漏极接保护管(Ms)的源极,其源极接地;

所述输出级的输入端接所述无补偿的误差放大器EA模块的输出端,其输出端输出采样电流(Isense)。

2.根据权利要求1所述的一种电流采样电路,其特征在于,所述无补偿的误差放大器EA模块包括第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5),

第三NMOS管(MN3)的源极为所述无补偿的误差放大器EA模块的反相输入端,第五NMOS管(MN5)的源极为所述无补偿的误差放大器EA模块的同相输入端;

第一PMOS管(MP1)和第三PMOS管(MP3)的栅极互连并连接第一偏置电压(Vb1),其源极都接电源电压(Vdd),第一PMOS管(MP1)的漏极连接第二PMOS管(MP2)的源极,第三PMOS管(MP3)的漏极连接第四PMOS管(MP4)的源极;

第二PMOS管(MP2)和第四PMOS管(MP4)的栅极互连并连接第二偏置电压(Vb2),第二PMOS管(MP2)的漏极接第二NMOS管(MN2)的漏极以及第三NMOS管(MN3)和第五NMOS管(MN5)的栅极,第四PMOS管(MP4)的漏极接第四NMOS管(MN4)的漏极并作为所述无补偿的误差放大器EA模块的输出端;

第二NMOS管(MN2)和第四NMOS管(MN4)的栅极互连并连接第三偏置电压(Vb3),第二NMOS管(MN2)的源极接第三NMOS管(MN3)的漏极,第四NMOS管(MN4)的源极接第五NMOS管(MN5)的漏极。

3.根据权利要求1所述的一种电流采样电路,其特征在于,所述输出级包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8),

第五PMOS管(MP5)和第七PMOS管(MP7)的栅极互连并作为所述输出级的输入端,第五PMOS管(MP5)的源极通过第三电阻(R3)后接电源电压(Vdd),第七PMOS管(MP7)的源极通过第四电阻(R4)后接电源电压(Vdd),第五PMOS管(MP5)的漏极接第六PMOS管(MP6)的源极,第七PMOS管(MP7)的漏极接第八PMOS管(MP8)的源极;

第六PMOS管(MP6)和第八PMOS管(MP8)的栅极互连,第六PMOS管(MP6)的栅漏互连并连接所述无补偿的误差放大器EA模块的同相输入端,第八PMOS管(MP8)的漏极连接偏置电流源(Ib)和第五电阻(R5)的一端,第八PMOS管(MP8)的漏极作为输出级的输出端,第五电阻(R5)的另一端接地。

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