[发明专利]半导体装置的制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：

形成一光致抗蚀剂图案于一材料层上，其中该光致抗蚀剂图案的形成步骤包括一曝光工艺、一曝光后烘烤工艺、与使用一有机显影剂的一显影工艺，该有机显影剂包含乙酸正丁酯，其中该光致抗蚀剂图案具有一基脚轮廓或一T顶轮廓，其中该基脚轮廓的一顶部横向尺寸小于一底部横向尺寸，该T顶轮廓的一顶部横向尺寸大于一底部横向尺寸；

在进行该显影工艺之后，施加一底漆材料至该光致抗蚀剂图案，其中该底漆材料包含一溶剂，该溶剂比该有机显影剂更亲水，且该溶剂的偶极矩比乙酸正丁酯的偶极矩高，其中该底漆材料的施加减少该基脚轮廓或该T顶轮廓；以及

在施加该底漆材料至该光致抗蚀剂图案之后，涂布一收缩材料于该光致抗蚀剂图案上，其中该收缩材料横向加大该光致抗蚀剂图案并缩小该光致抗蚀剂图案之间的多个间隙。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，形成该光致抗蚀剂图案的步骤包括形成多个光致抗蚀剂图案，且其中施加该底漆材料的步骤和涂布该收缩材料的步骤执行于该些光致抗蚀剂图案；

其中该半导体装置的制作方法更包括：

在形成该收缩材料于该些光致抗蚀剂图案上之后，烘烤该些光致抗蚀剂图案，其中该烘烤步骤使该些光致抗蚀剂图案与该收缩材料之间产生反应，使该些光致抗蚀剂图案各自增加宽度；

之后，显影该些光致抗蚀剂图案，其中显影该些光致抗蚀剂图案的步骤包括移除该收缩材料未反应的部分；以及

之后，以显影后的该些光致抗蚀剂图案，图案化该材料层。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该底漆材料设置以在涂布该收缩材料前，先使该光致抗蚀剂图案的该基脚轮廓或该T顶轮廓平直化。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该溶剂的步骤包括施加烷基醇R1-OH，其中R1为C1至C7烷基。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该溶剂的步骤包含施加烷基酯R2COOR3，其中R2与R3各自为C2-C6烷基。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，该底漆材料更设置以增加该光致抗蚀剂图案的去保护的酸敏基团单元的数目。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该底漆材料的步骤包括施加酸。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加酸的步骤包括施加磺酸、硫酸、盐酸、或醋酸。

9.如权利要求7所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，更包括：在涂布该收缩材料前，先烘烤该底漆材料与该光致抗蚀剂图案。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该底漆材料的步骤包含施加一聚合物，且该聚合物设置以与该光致抗蚀剂图案的酸敏基团单元键结。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，施加该底漆材料的步骤包括施加具有甲基丙烯酸酯架构的一材料。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，具有甲基丙烯酸酯架构的该材料包含一聚合物，其含有羧基、酰胺基、或胺基。

13.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其特征在于，形成该光致抗蚀剂图案的步骤采用一负型光致抗蚀剂材料。