[发明专利]一种键合对准精度的检测方法和半导体器件

权利要求书

1.一种键合对准精度的检测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一器件晶圆，在所述第一器件晶圆上形成第一对准标记，其中，所述第一对准标记的形状为环形；

提供第二器件晶圆，在所述第二器件晶圆上形成第二对准标记；

形成介质层，以覆盖所述第二器件晶圆形成有所述第二对准标记的面，并且所述介质层的表面与所述第二对准标记的表面齐平；

在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层；

将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合，其中，所述第一对准标记和所述虚拟键合层相对准并键合，所述第二对准标记与所述第一对准标记所包围的空白区域相对；

对所述第一对准标记和所述第二对准标记组成的图形进行成像，以检测键合的对准精度。

2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述虚拟键合层由彼此间间隔独立的若干虚拟键合点组成。

3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，每个所述虚拟键合点的尺寸小于所述第一对准标记的环线宽。

4.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，每个所述虚拟键合点的形状为矩形。

5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述矩形的边长范围为0.5～5μm。

6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一对准标记的形状为矩形环。

7.如权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第一对准标记的环线宽大于20μm，所述第一对准标记的外边缘长度或宽度范围为50μm～300μm。

8.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述第一器件晶圆上还形成有第一器件层，所述第一器件层与所述第一对准标记位于所述第一器件晶圆相同的面上，并且所述第一器件层位于所述第一对准标记的一侧，其中，形成所述第一对准标记的步骤包括：

在所述第一器件晶圆的表面上形成顶层金属材料层，所述顶层金属材料层覆盖所述第一器件层；

图案化所述顶层金属材料层，以形成所述第一对准标记以及位于所述第一器件层上的顶部金属层。

9.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一对准标记的材料包括铝。

10.如权利要求8所述的检测方法，其特征在于，在所述第二器件晶圆上还形成有第二器件层，所述第二器件层与所述第二对准标记位于所述第二器件晶圆相同的面上，并且所述第二器件层位于所述第二对准标记的一侧，其中，形成所述第二对准标记的步骤包括：

在所述第二器件晶圆的表面上形成互联金属材料层，所述互联金属材料层覆盖所述第二器件层；

图案化所述互联金属材料层，以形成所述第二对准标记以及位于所述第二器件层上方的互联金属层，所述互联金属层与所述第二器件层电连接。

11.如权利要求10所述的检测方法，其特征在于，在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层的步骤包括：

在所述介质层上沉积形成键合材料层；

图案化所述键合材料层，以形成所述虚拟键合层以及位于所述互联金属层上的键合层。

12.如权利要求11所述的检测方法，其特征在于，将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合的步骤还包括：

使所述第一器件层和所述第二器件层相对准进行键合，其中，所述顶部金属层和所述键合层相键合。

13.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述虚拟键合层的材料包括Ge。

14.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合之后，还包括从所述第一器件晶圆的背面对所述第一器件晶圆进行减薄的步骤。