[发明专利]一种光伏组件用光转换增透玻璃在审
申请号: | 201611188426.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106784088A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 金良茂;甘治平;汤永康;王东 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 用光 转换 玻璃 | ||
技术领域
本发明涉及光伏新能源技术领域,具体是一种光伏组件用光转换增透玻璃。
背景技术
太阳能电池作为环保新能源,发展前景很好。由于电池器件无法长期暴露于外界环境中,光伏超白压花玻璃是目前保护电池器件且自身透过率较高的最佳材料之一,决定光伏电池的发电功率。
光伏超白压花玻璃一面是绒面,一面为压花面,在用作太阳能电池的封装玻璃时,绒面起到漫反射的作用,降低反射光能;压花面的主要作用是加强光伏玻璃与EVA胶膜的粘结力。光伏超白压花玻璃透光率在91.5%左右,而其反射光损失率达到5%左右,被玻璃吸收的部分达到3%~4%、所以如何增加透光率是还待解决的问题。
根据光学干涉的原理,减反射膜层镀制的玻璃基片不同面、膜层厚度的不同,对提高透光率的效果也有所不同。《太阳能电池组件封装用玻璃板》(公开号为CN100495734C)的发明专利,要求涂层镀制在玻璃基板的压花面,涂层厚度为130~145nm;《一种增透防污太阳能电池封装玻璃》(公开号为CN201336311Y)的实用新型专利中要求在玻璃基片的光面上涂覆催化自洁膜,玻璃基片绒面上镀制增透膜,厚度均为21~50nm。在这些公开技术中,要求减反射膜镀制在玻璃压花面,在没有合成太阳能电池时,透过率增量可以达到2%左右,但封装玻璃的压花面需要跟电池组件中的EVA胶膜进行粘结,当太阳光经过玻璃达到电池片时,多增加了两个光学界面,起到的增透效果并不理想。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光伏组件用光转换增透玻璃,该玻璃能够在提高透过率的同时,将紫外光转换为可见光,进一步利用太阳光中的紫外线部分的能量。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种光伏组件用光转换增透玻璃,包括光伏超白压花玻璃基板,光伏超白压花玻璃基板的绒面涂覆有光转换增透膜,光转换增透膜由基质材料掺杂稀土金属离子构成,所述基质材料采用纳米多孔二氧化硅、纳米多孔氧化铝或纳米多孔氧化钛,所述稀土金属离子采用Sm3+、Eu3+、Y3+与Er3+中的一种或两种以上;所述光转换增透膜中稀土金属离子的掺杂含量为1~6%。
进一步的,所述光转换增透膜的厚度为80~160nm。
进一步的,所述光转换增透膜的折射率为1.2~1.3。
本发明的有益效果是:
一、在光伏超白压花玻璃基板的绒面涂覆光转换增透膜,在提高透过率的同时,将紫外光转换为可见光,进一步利用太阳光中的紫外线部分的能量,透光率和功率增加值高,紫外光转可见光转化性能优良,透过性好,达到94%以上,用本发明的玻璃封装出来的太阳能电池组件功率增加量达到3%以上,最高可达4%,极大提高了太阳能电池组件的光电转化效率。
二、本发明涂层所用原材料来源广泛,性价比高、使用成本低。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的示意图。
具体实施方式
实施例一
如图1所示,本发明提供一种光伏组件用光转换增透玻璃,包括光伏超白压花玻璃基板1,光伏超白压花玻璃基板1的上表面为绒面、下表面为压花面,
光伏超白压花玻璃基板1的绒面涂覆有光转换增透膜2,光转换增透膜2由基质材料掺杂稀土金属离子构成,所述基质材料采用纳米多孔二氧化硅,所述稀土金属离子采用Sm3+;所述光转换增透膜中Sm3+的掺杂含量为1%;光转换增透膜2的厚度为121nm,光转换增透膜2的折射率为1.26。
实施例二
如图1所示,本发明提供一种光伏组件用光转换增透玻璃,包括光伏超白压花玻璃基板1,光伏超白压花玻璃基板1的上表面为绒面、下表面为压花面,
光伏超白压花玻璃基板1的绒面涂覆有光转换增透膜2,光转换增透膜2由基质材料掺杂稀土金属离子构成,所述基质材料采用纳米多孔氧化铝,所述稀土金属离子采用Eu3+和Y3+;所述光转换增透膜中稀土金属离子的掺杂含量为4%;光转换增透膜2的厚度为160nm,光转换增透膜2的折射率为1.20。
实施例三
如图1所示,本发明提供一种光伏组件用光转换增透玻璃,包括光伏超白压花玻璃基板1,光伏超白压花玻璃基板1的上表面为绒面、下表面为压花面,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的