[发明专利]一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法有效
| 申请号： | 201611188428.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106784089B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;姚婷婷;甘治平;李刚;汤永康;杨勇;金克武;曹欣;徐根保 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 透明 导电 玻璃 制备 方法 | ||
1.一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用磁控溅射工艺，在玻璃衬底表面溅射生长下ZnO基薄膜；
S2、采用液相法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的SiO2小球模板层；
S3、采用磁控溅射工艺，在SiO2小球模板层上溅射生长上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，得到表面形貌呈凹凸织构化结构的自陷光ZnO基透明导电玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤S1采用ZnO基陶瓷靶材，采用Ar离子做为溅射气体，直流电源与射频电源共同作用于阴极，直流电源溅射功率为70W，射频电源溅射功率为100～200W，靶电压为110～210V，制备得到下ZnO基薄膜的厚度为450～550nm。
3.根据权利要求1所述的一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤S2制备得到SiO2小球的直径为301～400nm。
4.根据权利要求1所述的一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤S3制备得到上ZnO基薄膜的厚度为200～300nm。
5.根据权利要求1所述的一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与S3中玻璃衬底与靶材的间距为70cm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
