[发明专利]基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于台状有源区的固态等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述固态等离子pin二极管用于制作固态等离子天线，所述制备方法包括步骤：

(a)选取SOI衬底；

(b)刻蚀SOI衬底的顶层硅形成台状有源区；

所述步骤(b)包括：

(b1)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；

(b2)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；

(b3)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述台状有源区；

(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；

步骤(c)包括：

(c1)在整个衬底表面淀积第二保护层；

(c2)采用第二掩膜板，利用光刻工艺在所述第二保护层表面形成P区图形；

(c3)利用湿法刻蚀工艺去除P区图形上的所述第二保护层；

(c4)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区的一侧侧壁上淀积P型Si材料形成所述P区；

所述步骤(c4)包括：

(c41)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区的一侧侧壁上淀积P型Si材料；

(c42)采用第四掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述P型Si材料以在所述台状有源区的一侧侧壁上形成所述P区；

(c43)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第二保护层；

(c5)在整个衬底表面淀积第三保护层；

(c6)采用第三掩膜板，利用光刻工艺在所述第三保护层表面形成N区图形；

(c7)利用湿法刻蚀工艺去除N区图形上的所述第三保护层；

(c8)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区的另一侧侧壁上淀积N型Si材料形成所述N区；

所述步骤(c8)包括：

(c81)利用原位掺杂工艺，在所述台状有源区的另一侧侧壁上淀积N型Si材料；

(c82)采用第五掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述N型Si材料以在所述台状有源区的另一侧侧壁上形成所述N区；

(c83)利用选择性刻蚀工艺去除整个衬底表面的所述第三保护层；

(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；

(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子pin二极管。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤(b)之后，还包括：

(x1)利用氧化工艺，对所述台状有源区的侧壁进行氧化以在所述台状有源区侧壁形成氧化层；

(x2)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层以完成对所述台状有源区侧壁的平整化处理。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(d)包括：

(d1)利用CVD工艺，在所述台状有源区四周淀积所述多晶Si材料；

(d2)利用CVD工艺，在整个衬底表面淀积第四保护层；

(d3)利用退火工艺激活所述P区和所述N区中的杂质。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(e)包括：

(e1)采用第六掩膜版，利用光刻工艺在所述第四保护层表面形成引线孔图形；

(e2)利用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述第四保护层漏出部分所述多晶Si材料以形成所述引线孔；

(e3)对所述引线孔溅射金属材料以形成金属硅化物；

(e4)钝化处理并光刻PAD以形成所述固态等离子pin二极管。

5.一种基于台状有源区的固态等离子pin二极管，其特征在于，用于制作固态等离子天线，所述基于台状有源区的固态等离子pin二极管采用如权利要求 1-4中任一项所述的方法制得。