[发明专利]一种大模场单模多层纤芯的瓣状光纤

权利要求书

1.大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，其特征为：该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布第一层硅环芯(2，1)、第一层掺稀土离子环芯(3,1)……第N层硅环芯(2，N)、第N层掺稀土离子环芯(3，N)，该光纤内包层围绕第N层掺稀土离子环芯(3，N)均匀分布M个相同半径和弧度的瓣状纤芯(4,1)……(4,M)，内包层(5)，外包层(6)，1≤N≤5整数，3≤M≤32整数；

掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的折射率相等；第一层硅环芯(2，1)……第N层硅环芯(2，N)的折射率相等；第一层硅环芯(2，1)……第N层硅环芯(2，N)的折射率小于掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的折射率；内包层(5)的折射率小于第一层硅环芯(2，1)……第N硅环芯(2，N)的折射率，外包层(6)的折射率小于内包层(5)的折射率。

2.根据权利要求1所述的大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离子、钍离子、镨离子、钬离子、钐离子、钕镱共掺离子或铒镱共掺离子；掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的掺稀土离子类型相同。

3.根据权利要求1所述的大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)的纤芯直径小于等于50μm；掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)的各环芯厚度小于等于5μm，瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的半径小于等于25μm。

4.根据权利要求1所述的大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，其特征为：掺稀土离子芯区(1)与第一层掺稀土离子环芯(3,1)的最小距离小于等于5μm，各层掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)之间的最小距离小于等于5μm，瓣状纤芯(4,1)、(4,2)……(4,M)均匀分布，瓣状纤芯由一根光纤预制棒处理成，各块瓣状纤芯弧度等于360°除以M。