[发明专利]发光光电装置

说明书

本发明涉及发光光电装置(1)，包括：‑具有发射表面(44)的、能够发射称作“激励光辐射”的光辐射的至少一个电致发光二极管(40)；和‑覆盖发射表面(44)的光致发光材料(31)，其包括适于将穿过发射表面(44)的激励光辐射至少部分地转换成称作“光致发光光辐射”的光辐射的光致发光颗粒。该装置包括与电致发光二极管(40)相邻的至少一个光电二极管(50)，其具有被光致发光材料(31)覆盖的接收表面(54)，并适于检测穿过接收表面的激励辐射和/或来自光致发光材料(31)的光致发光辐射的至少一部分。

技术领域

本发明涉及一种发光光电装置，该装置包括覆有具有光致发光颗粒的材料的至少一个电致发光二极管。本发明尤其可用于希望控制或调节与电致发光二极管相关的发射光谱的照明系统。

背景技术

已存在包括发射表面覆有光致发光材料的电致发光二极管的光电装置。发射白光的照明系统尤其是这样的。

电致发光二极管是由适于发射光辐射、例如蓝色或紫外线辐射的半导体层的叠置形成的。这些半导体层一般是基于包括周期表III列和V列的元素的材料(例如：III-N化合物、氮化嫁(GaN)、氮化铟镓(InGaN)或氮化铝镓(AlGaN))来制成的。

根据所追求的光电装置的发射光谱的特征，光致发光材料层覆盖电致发光二极管的发射表面，该光致发光材料适于将电致发光二极管发射的称作“激励光辐射”的光辐射的至少一部分转换成称作“光致发光光辐射”的、具有更长的波长的光辐射。该光致发光材料可以包括散布在连结基质(matrice liante)中的颗粒，例如被铈离子活化的钇铝石榴石(称作YAG:Ce)颗粒。

然而，存在对控制光电装置的发射光谱特征、尤其是与电致发光二极管本身相关的发射光谱特征的需求。还存在对具有准许高电致发光二极管密度的单片结构的光电装置的需求。

发明内容

本发明的目的在于至少部分地解决现有技术的缺陷，并更具体地在于提出一种发光光电装置，该装置包括：

-具有发射表面的、能够发射称作“激励光辐射”的光辐射的至少一个电致发光二极管；以及

-覆盖该发射表面的光致发光材料，该光致发光材料包括适于将穿过发射表面的所述激励光辐射至少部分地转换成称作“光致发光光辐射”的光辐射的光致发光颗粒。

根据本发明，该光电装置包括与所述电致发光二极管相邻的至少一个光电二极管，该光电二极管具有被该光致发光材料覆盖的接收表面，并适于检测穿过接收表面激励辐射和/或穿过接收表面来自于光致发光材料的光致发光辐射的至少一部分。

该光电装置的某些优选但非限制性的特征如下：

电致发光二极管和光电二极管可以每个都具有台面结构，发射表面和接收表面是大致共平面的。

电致发光二极管和光电二极管可以每个都包括根据第一导通类型掺杂的第一半导体部分和根据与第一导通类型相反的第二导通类型掺杂的第二半导体部分，第一半导体部分和第二半导体部分分别是大致共平面的，并由组成相同的材料制成。

电致发光二极管的掺杂的第一半导体部分和光电二极管的掺杂的第一半导体部分具有这样的侧面：该侧面包括由掺杂的第一半导体部分的与其第一部位相对的第二部位形成的凹进表面。

侧向电气连接元件可以这样地在电致发光二极管和相邻光电二极管之间延伸，以与掺杂的第一半导体部分的凹进表面电气接触，该侧向连接元件还通过覆盖台面结构的侧面的电介质部分与掺杂的第二半导体部分和位于掺杂的第一和第二半导体部分之间的活性区域电绝缘。

电致发光二极管和光电二极管可以每个都包括位于掺杂的第一和第二半导体部分之间的活性区域，这些活性区域大致共平面，并由组成相同的材料制成。