[发明专利]一种器件热传导无损失效分析方法及装置在审

专利信息
申请号: 201611190167.4 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN106841240A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 张宇隆;高博;邓海涛;王立新;罗家俊;韩郑生 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01N23/04 分类号: G01N23/04
代理公司: 北京华沛德权律师事务所11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 器件 热传导 无损 失效 分析 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种器件热传导无损失效分析方法,其特征在于,包括:

获取待分析器件的结构函数曲线;

比对所述待分析器件的结构函数曲线和合格器件的结构函数曲线,以确定所述待分析器件的热阻异常层;

采用X射线电子计算机断层扫描方法,对所述热阻异常层进行结构图像重构;

根据所述结构图像重构结果,确定所述热阻异常层的失效原因。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述结构函数曲线,包括:积分函数曲线和微分函数曲线。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述结构函数曲线上包括N个拐点,所述N个拐点中相邻两拐点间的曲线为一曲线段;所述N个拐点对应所述待分析器件的N个层间界面;所述曲线段对应所述待分析器件的结构层;N为正整数;

所述比对所述待分析器件的结构函数曲线和合格器件的结构函数曲线,以确定所述待分析器件的热阻异常层,包括:

按曲线段,分段对应比对所述待分析器件的结构函数曲线和合格器件的结构函数曲线,以所述待分析器件的结构函数曲线上的异常曲线段对应的结构层为所述热阻异常层。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述结构层包括以下一种或多种的组合:

芯片层、焊料层、过渡片层、绝缘片层、底座层、导热胶层或冷却基板层。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述结构图像重构结果,确定所述热阻异常层的失效原因,包括:

比对所述结构图像重构结果和合格器件的图像重构信息,确定所述热阻异常层的失效原因。

6.如权利要求1-5任一所述的方法,其特征在于,所述方法应用于厚金属封装功率器件。

7.一种器件热传导无损失效分析装置,其特征在于,包括:

获取模块,用于获取待分析器件的结构函数曲线;

比对模块,用于比对所述待分析器件的结构函数曲线和合格器件的结构函数曲线,以确定所述待分析器件的热阻异常层;

重构模块,用于采用X射线电子计算机断层扫描方法,对所述热阻异常层进行结构图像重构;

确定模块,用于根据所述结构图像重构结果,确定所述热阻异常层的失效原因。

8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述比对模块还用于:

按曲线段,分段对应比对所述待分析器件的结构函数曲线和合格器件的结构函数曲线,以所述待分析器件的结构函数曲线上的异常曲线段对应的结构层为所述热阻异常层。

9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述确定模块还用于:

比对所述结构图像重构结果和合格器件的图像重构信息,确定所述热阻异常层的失效原因。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611190167.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top