[发明专利]互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体的互连结构的方法，所述方法包括：

在衬底中形成开口；

在所述开口的侧壁上形成屏蔽元件，其中，所述屏蔽元件具有突出所述衬底的第一部分，所述屏蔽元件的第一部分的底面与所述衬底的顶面接触；

在所述开口中形成低k介电块；

在所述低k介电块中形成至少一个第一通孔；以及

在所述第一通孔中形成第一导体，其中，所述第一导体具有突出所述第一通孔的第一部分，所述第一导体的第一部分的底面与所述低k介电块的顶面接触，并且所述低k介电块的顶面与所述衬底的顶面齐平，

其中，在顶视图中，所述屏蔽元件的第一部分与所述第一导体的第一部分具有通过部分所述低k介电块间隔开的环形形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低k介电块的介电常数小于所述衬底的介电常数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一通孔的侧壁上形成所述第一导体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电镀形成所述第一导体。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一通孔中形成插塞。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在顶视图中，所述屏蔽元件围绕两个所述第一导体。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一导体上形成焊盘；

在所述衬底上形成介电层；

在所述介电层中形成至少一个第二通孔以暴露所述焊盘；以及

在所述第二通孔中形成第二导体，其中，所述第二导体通过所述焊盘电连接至所述第一导体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过机械钻孔、激光钻孔、光刻或它们的组合来形成所述开口。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过机械钻孔、机械布线或它们的组合来形成所述第一通孔。

10.一种半导体的互连结构，包括：

衬底，所述衬底具有位于其中的开口；

介电块，位于所述衬底的所述开口中，所述介电块具有位于其中的至少一个第一通孔，其中，所述介电块的介电常数小于所述衬底的介电常数；

屏蔽元件，位于所述介电块与所述开口的侧壁之间，其中，所述屏蔽元件具有突出所述衬底的第一部分，所述屏蔽元件的第一部分的底面与所述衬底的顶面接触；以及

第一导体，位于所述介电块的所述第一通孔中，其中，所述第一导体具有突出所述第一通孔的第一部分，所述第一导体的第一部分的底面与所述介电块的顶面接触，并且所述介电块的顶面与所述衬底的顶面齐平，

其中，在顶视图中，所述屏蔽元件的第一部分与所述第一导体的第一部分具有通过部分所述介电块间隔开的环形形状。

11.根据权利要求10所述的互连结构，其中，所述第一导体位于所述第一通孔的侧壁上。

12.根据权利要求10所述的互连结构，还包括：

插塞，位于所述第一通孔中。

13.根据权利要求10所述的互连结构，其中，在顶视图中，所述屏蔽元件围绕两个所述第一导体。

14.根据权利要求10所述的互连结构，还包括：

焊盘，位于所述第一导体中；

介电层，位于所述衬底上并且所述介电层具有位于其中的至少一个第二通孔以暴露所述焊盘；以及

第二导体，位于所述第二通孔中并且通过所述焊盘电连接至所述第一导体。

15.根据权利要求10所述的互连结构，还包括：

至少一根导线，位于所述衬底上并且电连接至所述第一导体。