[发明专利]一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201611191347.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106653570B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 魏建宇;金龙;谭卫东 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张婧<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 反型高阻 ic 外延 制备 方法 | ||
1.一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、预备重掺衬底埋层片：选用重掺的埋层片，电阻率＜0.01Ωcm，背封层为二氧化硅+多晶硅；
B、HCl抛光：在1100℃下，选择HCl流量为3～5L/min，抛光时间2～6min，抛光完成后H2吹扫4～8min；
C、外延生长：选择双层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，第一步生长一重掺过渡层，其生长温度为1100℃，厚度为1～2μm，生长速率为0.4～0.6μm/min；第二步生长一高阻外延层，其生长温度为1160～1180℃，生长速率为0.4～0.6μm/min。
2.根据权利要求1所述的重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于：所述外延生长中高频感应加热体为表面经裂解处理并表面包封高纯SiC的高纯石墨基座。
3.根据权利要求2所述的重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于：在外延生长前，在所述高纯石墨基座表面淀积一层10～20μm通有重掺杂质的多晶硅，通入杂质类型与外延层杂质类型相同。
4.根据权利要求1所述的重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于：所述重掺过渡层和高阻外延层与衬底埋层片杂质类型相反。
5.根据权利要求1所述的重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于：所述H2纯度为99.9999％以上，其采用的氢纯化器为分子筛。
6.根据权利要求1所述的重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于：在进行外延前清除外延设备中石英钟罩内壁和石英零件上淀积残留物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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