[发明专利]平坦化方法

说明书

技术领域

本揭示案是关于半导体晶圆的平坦化。

背景技术

化学机械研磨/平坦化(Chemical-mechanical polishing/planarization；CMP)系统置放半导体晶圆与研磨垫接触，此研磨垫相对于半导体晶圆移动。半导体晶圆可为静止的或亦可在固持晶圆的载体上旋转。在半导体晶圆与研磨垫之间，CMP系统可使用浆料。浆料是一种液体，此液体能够润滑半导体晶圆与研磨垫之间的移动介面，同时利用研磨剂(诸如硅石或氧化铝)温和磨蚀及研磨半导体晶圆表面。

发明内容

根据本揭示案的一些实施例，平坦化方法包括：将至少一种杂质植入到晶圆中以在晶圆中形成研磨停止层；及研磨晶圆的顶表面，直至到达研磨停止层。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述很好地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各特征并未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1是图示根据本揭示案的一些实施例的用于制造半导体结构的平坦化方法的流程图；

图2A至图2F是根据本揭示案的一些实施例的制造半导体结构中的中间阶段的横截面视图。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述组件及配置的具体实例以简化本揭示案。当然，这些仅为实例且不欲视为限制。举例而言，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复系出于简明性及清晰的目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等)来描述诸图中所图示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。

图1是图示根据本揭示案的一些实施例的用于制造半导体结构的平坦化方法100的流程图。应理解，在此方法之前、期间及之后可实施额外步骤，且对于此方法的其他实施例可替换或取消所描述步骤中的一些。参看各附图集体描述半导体结构及制造半导体结构的方法100。

参看图1及图2A，方法100在步骤102处开始，在此步骤处形成集成电路结构。所图示集成电路结构包括晶圆200的一部分，此晶圆包括基材210。基材210由半导体材料制成，此半导体材料诸如金刚石、硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)、硅锗(SiGe)或上述的组合。基材210例如为块体硅。可使用的其他基材包括绝缘体上硅(silicon on insulator；SOI)基材、多层基材、梯度基材或混合定向基材。

在本揭示案的一些实施例中，半导体晶圆200可包括用于主动元件的组件的各种特征，诸如n通道金属氧化物半导体场效晶体管(n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors；n-通道MOSFETs)、p通道MOSFET、平坦MOSFET或鳍式场效晶体管(fin field-effect transistors；finFETs)。

在一些实施例中，基材210可包括多个鳍片212，在这些鳍片之间形成沟槽214。在一些实施例中，基于氯(Cl)或溴(Br)的反应性离子蚀刻可用于形成鳍片212及沟槽214。沟槽214的至少一者具有自约0.03微米至约0.2微米范围内的深度。