[发明专利]Nand Flash块管理方法和系统

说明书

本发明涉及Nand Flash块管理方法和系统。所述方法包括：接收应用层的访问指令，所述访问指令中包含逻辑块地址；查询预设的地址映射表，获取所述逻辑块地址对应的物理块地址；查询预设的坏块列表，检测所述物理块地址指向的存储块是否可用；若所述物理存储地址指向的存储块不可用，根据预设的地址映射算法重新确定与所述逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址，更新所述地址映射表，根据所述访问指令对重新确定的物理块地址指向的存储块进行操作。本发明能够降低系统的复杂度，且无需占用较大的内存，具有较强的可移植性及通用性。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种Nand Flash块管理方法和系统。

背景技术

NAND Flash是非易失性存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，能达到极高的单元密度及存储密度.然而，NAND Flash与其他高密度存储媒介一样不可避免地存在坏块的问题。于是在应用NAND Flash时必须对其存在的坏块进行规避和管理。

NAND Flash的坏块问题是影响存储可靠性的重要问题。目前，NAND坏块管理方法可分为如下两类：基于FTL芯片的坏块管理和基于NAND文件系统的坏块管理。其中，基于FTL芯片的坏块管理是使用一个额外的FTL(Flash Translation Layer)芯片对NAND进行管理，对外部屏蔽了坏块信息，U盘、SD卡、MMC卡以及固态硬盘都使用这种管理方法；该方式基于FTL芯片，因此需要额外的硬件成本。基于NAND文件系统的坏块管理是直接引入专门针对NAND的文件系统也可以实现对NAND坏块的管理，如JFFS2、YAFFS2、FlashFx、UBIFS等文件系统；该方式存在需要占用系统很大的内存，并且代码复杂、效率低、访问速度慢等不足。

可见，目前的NAND坏块管理方法还有待改进。

发明内容

基于此，本发明实施例提供了Nand Flash块管理方法和系统，能够降低系统的复杂度，且无需占用较大的内存，具有较强的可移植性及通用性。

本发明一方面提供Nand Flash块管理方法，包括：

接收应用层的访问指令，所述访问指令中包含逻辑块地址；查询预设的地址映射表，获取所述逻辑块地址对应的物理块地址，所述地址映射表中存储有与各个逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址；

查询预设的坏块列表，检测所述物理块地址指向的存储块是否可用；在所述坏块列表中对所述Nand Flash中所有不可用的存储块进行了标记；

若所述物理存储地址指向的存储块不可用，根据预设的地址映射算法重新确定与所述逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址，更新所述地址映射表，并根据所述访问指令对重新确定的物理块地址指向的存储块进行操作。

本发明另一方面提供一种Nand Flash块管理系统，包括：

指令及地址确认模块，用于接收应用层的访问指令，所述访问指令中包含逻辑块地址；查询预设的地址映射表，获取所述逻辑块地址对应的物理块地址，所述地址映射表中存储有与各个逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址；

块状态检测模块，用于查询预设的坏块列表，检测所述物理块地址指向的存储块是否可用；在所述坏块列表中对所述Nand Flash中所有不可用的存储块进行了标记；

映射管理模块，用于若所述物理存储地址指向的存储块不可用，根据预设的地址映射算法重新确定与所述逻辑块地址对应的Nand Flash物理块地址，更新所述地址映射表，并根据所述访问指令对重新确定的物理块地址指向的存储块进行操作。