[发明专利]一种无铝波导层的红光半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201611192088.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108233179B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/34 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导层 腔面 红光半导体激光器 量子阱层 上波导层 下波导层 氧杂质 镓铟磷 源区 半导体激光器 抗氧化能力 欧姆接触层 材料内部 上限制层 生长环境 下限制层 有效减少 光吸收 衬底 解理 烧毁 | ||
1.一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；所述下波导层、量子阱层、上波导层均为镓铟磷材料；
所述量子阱层为带隙为1.84eV的有序镓铟磷材料，所述下波导层、上波导层均为带隙为1.91eV的无序镓铟磷材料；所述有序镓铟磷材料是指在600-640℃温度范围内生长的镓铟磷材料；所述无序镓铟磷材料是指在660-700℃温度范围内生长的镓铟磷材料。
2.根据权利要求1所述的一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，其特征在于，所述下限制层为(AlxGa1-x)0.5In0.5P，厚度为1000-1500nm，x的取值为0.5-0.7；所述量子阱层为有序GayIn1-yP，y的取值为0.4-0.5，厚度为5-15nm；所述下波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为50-200nm；所述上波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为50-200nm；所述上限制层为(AlzGa1-z)0.5In0.5P，厚度为1000-1500nm，z的取值为0.5-0.7。
3.根据权利要求2所述的一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，其特征在于，所述量子阱层为有序Ga0.5In0.5P，厚度为6nm；所述下波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为100nm；所述上波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为100nm。
4.根据权利要求2所述的一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，其特征在于，所述量子阱层为有序Ga0.45In0.55P，厚度为6nm；所述下波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为100nm；所述上波导层为无序Ga0.5In0.5P，厚度为100nm。
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