[发明专利]一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法

权利要求书

1.一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，包括步骤如下：

步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；

步骤2：在所述衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；

步骤3：图形化磁性隧道结图案到所述导电硬掩模的顶部；

步骤4：反应离子刻蚀所述导电硬掩模；

步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。

2.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体是指CF₄、SF₆或者NF₃，所述含氟元素的气体流量范围为0～200sccm。

3.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氧元素的气体是指O₂或者H₂O，所述含氧元素的气体流量范围为0～1000sccm。

4.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氮元素的气体是指N₂、N₂/H₂混合物或者NH₃，所述含氮元素的气体流量范围为0～1000sccm。

5.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，采用O₂或者N₂/H₂混合物部分或者全部除去所述残留的含碳膜层。

6.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述聚合物采用原位方法除去，具体为：在所述导电硬掩模刻蚀之后不离开真空环境，并采用与刻蚀所述导电硬掩模相同或者不同的刻蚀腔体进行原位清洁。

7.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，产生并维持所述干法刻蚀的等离子体的射频功率为200～3000W。

8.根据权利要求7所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，产生偏压的射频功率为0～300W。

9.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体、所述含氧元素的气体或所述含氮元素的气体的压强为1mTorr～10Torr。

10.根据权利要求1所述的一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，所述含氟元素的气体与所述含氧元素的气体或与所述含氮元素的气体的流量之比由所述残留的含碳膜层和聚合物含量之比而决定。