[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成隔离层，在所述隔离层上形成多层层叠结构，每层所述层叠结构包括一层金属层和一层覆盖该金属层的介质层，多层所述金属层形成至少一个电感线圈结构，在所述层叠结构与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成磁芯。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，每层所述层叠结构通过下述步骤形成：

在所述隔离层或下层介质层上形成第一阻挡层和/或第一种子层；

在所述第一阻挡层和/或第一种子层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层用于定义每层所述金属层的图案；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜进行铜电镀工艺，以形成所述金属层；

去除所述图形化的光刻胶层；

去除位于所述金属层底部之外的所述第一阻挡层和/或第一种子层；

形成覆盖所述金属层的介质层，并对所述介质层进行图形化，从而在所述介质层中形成用于与下方金属层连接的第一通孔，以及在所述介质层中与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成用于填充磁性材料的第二通孔。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，每层介质层中对应的第二通孔依次连通。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述介质层为聚酰亚胺。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成覆盖所述金属层的介质层，并对所述介质层进行图形化的步骤包括：

在所述金属层上涂覆聚酰亚胺薄膜，

通过曝光和显影对所述聚酰亚胺薄膜进行图形化，从而在所述聚酰亚胺薄膜中形成用于与下方金属层连接的第一通孔，以及在所述聚酰亚胺薄膜中与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成用于填充磁性材料的第二通孔；

对所述聚酰亚胺薄膜进行烘烤，以使所述聚酰亚胺薄膜具有介电性质。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述层叠结构与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成磁芯的步骤包括：

在所述层叠结构的表面和所述第二通孔的底部形成第二阻挡层和/或第二种子层；

在所述第二阻挡层和/或第二种子层上形成图形的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有与所述第二通孔对应的开口；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜进行磁性材料的电镀工艺，以在所述第二通孔中填充磁性材料，形成磁芯。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述磁芯包括铁和镍。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述磁芯的含铁量为10％～80％。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述层叠结构的表面形成用于封装的焊盘或凸块。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有隔离层，在所述隔离层上形成有多层层叠结构，每层层叠结构包括一层金属层和一层覆盖该金属层的介质层，多层所述金属层形成至少一个电感线圈结构，在所述介质层中与每个所述电感线圈结构的中心区域对应的位置形成磁芯。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层为聚酰亚胺。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述磁芯包括铁和镍。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述磁性材料的含铁量为10％～80％。

14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10-13中的任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的及电子组件。