[发明专利]制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，包括：

配料、熔炼、速凝铸片、粗破碎，制取钕铁硼粗粉，采用物理气相沉积方法将微量重稀土粒子或者高熔质粒子沉积在钕铁硼粗粉上，重稀土粒子为Dy或者Tb，高熔质粒子为W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga；物理气相沉积中，采用惰性气氛，抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氩气至0.2～1.0Pa；温度为300～500℃，沉积速率为0.01～50μm/min，钕铁硼粗粉的粒度为10μm～2mm；

进行细化制粉、取向成型、烧结制备钕铁硼磁体。

2.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：粗破碎为机械粉碎或氢碎。

3.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：惰性气氛采用氩气、氦气或真空。

4.如权利要求1所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：物理气相沉积采用磁控溅射沉积、离子镀沉积或蒸发源沉积。

5.如权利要求1～4任一项所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于，沉积重稀土粒子时，包括：

配料、熔炼、速凝铸片、粗破碎，制取钕铁硼粗粉；钕铁硼粗粉的粒度为10μm～2mm，粗破碎为机械破碎或氢碎；

选择所需重稀土靶材，重稀土靶材选用Dy或者Tb中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物；将钕铁硼粗粉和重稀土靶材分别置于物理气相沉积装置内；抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氩气至0.2～1.0Pa；调节参数，使钕铁硼粗粉均匀分散，同时加热至300～500℃；

开启物理气相沉积装置，将靶材粒子沉积在分散的钕铁硼粗粉上，粒子沉积速率为0.01～50μm/min；

停止物理气相沉积，待钕铁硼粗粉温度降至室温后取出；

将所得的钕铁硼粗粉进行细化制粉、取向压制成型、真空烧结、回火处理，获得最终钕铁硼磁体。

6.如权利要求1～4任一项所述制备低重稀土高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于，沉积高熔质粒子时，包括：

配料、熔炼、速凝铸片、粗破碎，制取钕铁硼粗粉；钕铁硼粗粉的粒度为10μm～2mm，粗破碎采用机械破碎或氢碎；

选择所需高熔质靶材，高熔质靶材采用W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一种元素的纯金属、合金或氧化物；将钕铁硼粗粉和高熔质靶材分别置于物理气相沉积装置内；

抽真空至真空度高于2.0×10^-2Pa，充入氩气至0.2～1.0Pa；调节参数，使钕铁硼粗粉均匀分散，同时加至度300～500℃；

开启物理气相沉积装置，将靶材粒子沉积在分散的钕铁硼粗粉上；粒子沉积速率为0.01～50μm/min；

停止物理气相沉积，待钕铁硼粗粉温度降至室温后取出；

将所得的钕铁硼粗粉进行细化制粉、取向压制成型、真空烧结、回火处理，获得最终钕铁硼磁体。