[发明专利]微影方法

说明书

技术领域

本公开实施例涉及微影工艺，还包括间隔物的形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已快速成长一段时日。IC材料与设计的技术进步，使每一代IC均比前一代的IC具有更小更复杂的电路。然而这些进展会增加IC工艺的复杂性，但这些进展的优点明确，因此需要IC工艺中的类似发展。在集成电路的演化中，功能密度(比如单位晶片面积的内连线装置数目)越来越大，而几何尺寸(比如工艺所能产生的最小构件或线路)越来越小。虽然现有的IC装置与其形成方法可用于其发展目的，但仍无法适用于所有方面。

发明内容

本公开一实施例提供的方法包括：形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。

附图说明

图1是本公开一些实施例中，制作半导体装置的方法其流程图。

图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、与图2G是本公开一些实施例中，工艺的多种阶段中半导体装置的剖视图。

图3是本公开一些实施例中，制作半导体装置的方法其流程图。

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G、与图4H是本公开一些实施例中，工艺的多种阶段中半导体装置的剖视图。

图5A与图5B分别为本公开一些实施例中，接枝剂的化学结构。

附图标记说明：

100、300 方法

102、104、106、108、110、112、114、116、302、304、306、308、310、312、314 步骤

200、400 半导体装置

202、402 基板

204、404 层状物

204a、404a 图案

206、406 图案化光致抗蚀剂层

207 选择性蚀刻工艺

208、408 接枝溶液

209 蚀刻工艺

210 顺应层

210a、410a 第一部分

210b、410b 第二部分

406a 上表面

406b 侧壁

410 间隔物层

411 湿蚀刻工艺

500 接枝剂

502 聚合物主链

504、506、508、516、518、520 组分

512 第一聚合物主链

514 第二聚合物主链

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本公开的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本公开而非局限本公开。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本公开的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如「下方」、「其下」、「较下方」、「上方」、「较上方」、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。

当半导体装置尺寸持续缩小(比如低于20nm节点)，公知的微影技术具有光学限制，其导致分辨率问题且无法达到所需的微影效能。与此相较，极紫外光(EUV)微影可达较小的装置尺寸。此外，在此较小的装置尺寸下形成间隔物层，亦有助于达到更小的装置尺寸并提供其他优点。然而现有的间隔物层通常适用于其发展目的，而无法适用于所有方面。因此本公开的装置与方法，是设计以改善在较小装置尺寸下形成间隔物层的方法。