[发明专利]一种具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻及其制备方法有效
| 申请号： | 201611193431.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106756849B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;蒋春磊;朱海莉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;B23B51/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微钻 过渡金属硼化物 沉积 制备 溅射镀膜设备 离子轰击清洗 硬质耐磨涂层 致密 加热装置 摩擦系数 清洗处理 抽真空 低应力 负偏压 结合力 离子源 热应力 溅射 剥落 光滑 加热 装入 清洗 生长 调控 | ||
1.一种具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取PCB用微钻基体，对其进行清洗处理；
将所述清洗后的微钻基体置于溅射镀膜设备的真空室内，将真空室的气压抽至5×10-3Pa以下后，对真空室进行加热使基体温度达到350～600℃；
打开离子源，通入氩气，对基体进行离子轰击清洗10～30min；
(2)保持所述离子源继续工作，采用过渡金属硼化物作为溅射靶材，以溅射方式在所述离子轰击清洗后的基体表面沉积过渡金属硼化物涂层，其中，沉积过程中在基体上加载负偏压，当所述过渡金属硼化物涂层为二硼化钛时，若所述沉积温度为550℃时，则所述负偏压为-50～-100V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.12～-0.16GPa；若所述沉积温度为500℃，则所述负偏压为-30～-70V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.112～-0.112GPa；若所述沉积温度为450℃，则所述负偏压为-10～-40V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力为0.094～-0.074GPa；
当所述过渡金属硼化物涂层为二硼化钨时，当所述沉积温度为450℃时，所述负偏压为-15V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力接近0GPa；
当所述过渡金属硼化物涂层为二硼化铬时，当所述沉积温度为550℃时，所述负偏压为-255V，所述过渡金属硼化物涂层的残余应力接近0GPa；
所述溅射靶的功率密度为2～20W/cm2；所述离子源的工作电流为20～30A，工作电压为50～100V；
(3)沉积结束后，冷却取样，得到具有过渡金属硼化物涂层的PCB用微钻。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子轰击清洗时，所述离子源的工作电流为20～30A，工作电压为50～100V。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进技术研究院，未经深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611193431.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
