[发明专利]一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构

权利要求书

1.一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层，所述第一上限制层与所述第二上限制层之间设有通过含Al材料的选择性腐蚀溶液的腐蚀阻挡层；

所述选择性腐蚀溶液为稀盐酸溶液；

所述腐蚀阻挡层为P型Ga_mIn_1-mP或P型GaAs_nP_1-n，掺杂浓度为5-10×10¹⁷cm^-3，厚度为5-20nm,m的取值范围为0.4-0.6，n的取值范围为0.9-1；

所述第一上限制层为P型(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，y的取值为0.1-0.4，掺杂浓度为5-10×10¹⁷cm^-3，厚度为100-400nm；所述第二上限制层为P型(Al_zGa_1-z)_0.5In_0.5P，z的取值为0.9-1，掺杂浓度为5-10×10¹⁷cm^-3，厚度为600-1100nm。

2.根据权利要求1所述的一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，所述腐蚀阻挡层为P型Ga_0.5In_0.5P或P型GaAs_0.95P_0.05，掺杂浓度为7×10¹⁷cm^-3，厚度为15nm。

3.根据权利要求1所述的一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，所述第一上限制层为P型(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，y的取值为0.2-0.3，掺杂浓度为6-8×10¹⁷cm^-3，厚度为200-400nm；所述第二上限制层为P型(Al_zGa_1-z)_0.5In_0.5P，z取值为0.9-1，掺杂浓度为6-8×10¹⁷cm^-3，厚度为800-1000nm。

4.根据权利要求1所述的一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，所述第一上限制层为P型(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P，y的取值为0.2，掺杂浓度为7×10¹⁷cm^-3，厚度为300nm；所述第二上限制层为P型(Al_zGa_1-z)_0.5In_0.5P，z取值为1，掺杂浓度为7×10¹⁷cm^-3，厚度为1000nm。

5.根据权利要求1所述的一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，所述衬底为偏向111晶向的N型GaAs(100)单晶片，偏角大小为5-15°，掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3-5×10¹⁸cm^-3；所述缓冲层采用N型GaAs材料，掺杂浓度为1×10¹⁸cm^-3-3×10¹⁸cm^-3，厚度为100-400nm；所述下波导层为不掺杂的Ga_0.5In_0.5P，厚度为200-500nm；所述量子阱采用张应变的GaAsP材料，厚度为5-15nm，激射波长为804-812nm；所述上波导层为不掺杂的Ga_0.5In_0.5P，厚度为200-500nm；所述欧姆接触层为重掺杂的P型GaAs，掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3-1×10²⁰cm^-3，厚度为150-250nm。