[发明专利]引线框架带组件和处理方法在审
申请号: | 201611194856.2 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106910690A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | R·A·卡瑞-安;R·A·M·卡门伏特;R·B·萨姆森;G·J·莫拉德 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 徐东升,赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 组件 处理 方法 | ||
技术领域
背景技术
集成电路(“IC”)封装通常包括安装在引线框架上并电连接到引线框架的一个或多个集成电路管芯。管芯和引线框架封装在塑料模制化合物中。引线框架的部分通过模制化合物暴露,使得管芯能够连接到外部电路。
在IC封装形成期间,将最终变为引线框架的结构是引线框架带(strip)的初始一体连接的引线框架部分。管芯安装在这些引线框架部分中的每一个上并与其电连接,同时引线框架部分保持一体地连接在引线框架带中。安装在引线框架部分中的每一个引线框架部分上的管芯通常被引线键合到引线框架部分的引线(引线安装在引线框架部分上),并且所述管芯随后被封装在模制化合物中。然后该模制的引线框架带组件被锯切(单粒化/切块)以将组件分离成单独的IC封装,每个IC封装包含引线框架和至少一个管芯。
发明内容
一种处理具有相对的第一和第二纵向端以及定位在第一纵向端和第二纵向端之间的多个引线框架面板的引线框架带的方法,所述引线框架带具有定位在引线框架带的相对横向侧上并且从引线框架带的第一纵向端延伸到第二纵向端的纵向延伸的引线框架导轨,引线框架面板中的每一个包括引线框架部分的阵列。该方法包括:将引线框架带移动到锯切工位;以及利用多个横向延伸的锯切割(saw cut)来切割引线框架导轨和引线框架面板,所述锯切割均延伸通过第一导轨和第二导轨以及定位在引线框架带的相邻面板之间的引线框架带的面板连接器部分。
一种在引线框架带单粒化期间减少刀片加热的方法包括:将引线框架带移动到锯工位;以及在与定位在引线框架带的面板之间的横向延伸的狭槽对准的引线框架带的部分处跨越切割引线框架带的导轨。
一种引线框架带组件包括:引线框架带,其具有相对的第一纵向端和第二纵向端以及定位在第一纵向端和第二纵向端之间的多个引线框架面板。引线框架面板中的每一个包括引线框架部分的阵列。第一和第二纵向延伸的导轨从引线框架带的第一纵向端延伸到第二纵向端并且定位在多个引线框架面板的第一横向侧和第二横向侧上并且一体地连接到引线框架面板。多个横向延伸的面板连接器部分定位在相邻的引线框架面板之间并且一体地连接相邻的引线框架面板。面板连接器部分均具有定位在第一导轨和第二导轨内侧的横向延伸的狭槽。横向延伸的面板连接器部分中的至少一个至少部分地由横向延伸的锯切割切断,所述横向延伸的锯切割延伸通过与连接器部分的狭槽对准的纵向延伸的导轨中的至少一个。
附图说明
图1是管芯安装和模制的引线框架带的顶视平面图,示出在模制带上执行的现有技术的通道1锯切(单粒化/切块)工艺。
图1A是图1的详细部分,其中管芯和模制化合物被移除以在待锯切割的区域中示出某些引线框架细节。
图1B是图1的引线框架带的示意性等距视图,示出由锯切割产生的引线框架面板的某些引线框架部分的加热。
图1C是支撑在锯台上的图1的引线框架带的锯切部分的等距剖视图。
图2是图1的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的现有技术的通道2工艺。
图3是图2的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的现有技术的通道3工艺。
图4是图3的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的现有技术的通道4工艺。
图5是管芯安装和模制的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的示例通道1工艺。
图5A是在待切割的图5的两个引线框架面板之间的示例连接器部分的详细顶视平面图。
图5B是图5的引线框架带的等距视图。
图5C是支撑在锯台上的图5的引线框架带的锯切部分的放大的剖视等距视图。
图6是图5的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的示例通道2工艺。
图7是图6的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的示例通道3工艺。
图8是图7的引线框架带的顶视平面图,示出在其上执行的示例通道4工艺。
图9是由本文描述的新方法制造的示例集成电路(IC)封装的横截面正视图。
图10是示出处理引线框架带的示例方法的流程图。
图11是在引线框架带单粒化期间减少刀片加热的示例方法的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造