[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成微机电系统器件的方法，该方法包括：

图案化第一衬底的介电层以通过所述介电层暴露导电部件和底部层，所述第一衬底包括所述介电层和所述底部层，所述导电部件设置在所述底部层上的所述介电层中；

将第二衬底的第一表面接合至所述介电层；

图案化所述第二衬底以形成膜和可移动元件；

邻近所述可移动元件形成第一贯通孔；

在所述第二衬底的第二表面上形成多个第一金属接合件，其中，所述第二表面与所述第一表面相对，其中所述多个第一金属接合件包括第三金属接合件，所述多个第一金属接合件的所述第三金属接合件最靠近可移动元件，其中所述第一贯通孔设置在所述可移动元件和所述第二衬底的形成所述第三金属接合件的部分之间，并且其中所述第二衬底在所述第一贯通孔和所述第二衬底的形成所述第三金属接合件的部分之间是连续的；

在覆盖晶圆的表面上形成多个第二金属接合件；

通过将所述多个第二金属接合件接合至所述多个第一金属接合件来将所述覆盖晶圆接合至所述第二衬底，其中，将所述覆盖晶圆接合至所述第二衬底形成第一密封腔和第二密封腔，所述第一密封腔包括所述可移动元件，并且所述第二密封腔以所述膜部分地为界；以及

去除所述覆盖晶圆的部分以将所述第二密封腔暴露于环境压力。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述覆盖晶圆接合至所述第二衬底包括共晶接合工艺，其中，通过所述共晶接合工艺来限定所述接合后的所述第一密封腔的压力水平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二衬底接合至所述第一衬底包括熔融接合工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一贯通孔从所述介电层中的所述导电部件穿过所述第二衬底延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成设置在所述可移动元件下面的多个抗粘滞凸块。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的去除所述覆盖晶圆的部分以将所述第二密封腔暴露于环境压力包括在所述覆盖晶圆中形成开口以将所述第二密封腔暴露于周围环境。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二衬底的所述第一表面接合至所述介电层创建第三密封腔，其中，通过所述接合限定所述接合后的所述第三密封腔的压力水平。

8.一种用于形成微机电系统器件的方法，包括：

图案化第一衬底的介电层以创建第一腔和第二腔，所述第一衬底包括所述介电层和底部层，在所述第一腔中的所述底部层上设置第一电极并且在所述第二腔中的所述底部层上设置第二电极；

图案化所述介电层以暴露多个导体，所述导体设置在所述底部层上的所述介电层中；

将第二衬底的第一表面接合至所述介电层，所述接合密封所述第二腔；

形成从所述导体延伸穿过所述第二衬底的多个贯通孔；

图案化所述第二衬底以创建可移动部件，所述可移动部件设置在所述第一电极上；

图案化所述第二衬底以创建膜，所述膜设置在所述第二电极上，其中所述多个贯通孔的第一贯通孔和所述多个贯通孔的第二贯通孔设置成邻近所述膜并且在所述膜的相对侧上，所述多个贯通孔的第三贯通孔设置在所述第二贯通孔和所述可移动部件之间，并且其中，所述第二衬底的在所述第二贯通孔和所述第三贯通孔之间的部分，从所述第二贯通孔延伸至所述第三贯通孔是连续的；

在第三衬底中形成开口；

以位于所述第三衬底中的所述开口设置在所述膜上方的方式将所述第三衬底接合至所述第二衬底，其中，将所述第三衬底接合至所述第二衬底形成第三密封腔和第四密封腔，所述第三密封腔包括所述可移动部件和所述第一腔，以及所述第四密封腔以所述膜部分地为界；以及

去除所述第三衬底的部分以通过所述第三衬底中的所述开口将所述第四密封腔暴露于环境压力。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过所述第三衬底和所述第二衬底之间的接合工艺限定所述第三密封腔的压力水平。