[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.发光二极管的制作方法，包括步骤：

（1）提供一外延结构，依次包含生长衬底、第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；

（2）在所述第二类型半导体层的表面上形成扩展电极，并进行热处理使其与所述第二类型半导体层形成欧姆接触；

（3）提供一临时基板，将其与所述外延结构接合，并去除所述生长衬底，裸露出第一类型半导体层的表面；

（4）在所述裸露出的第一类型半导体层表面上依次形成欧姆接触层、镜面层和键合层；

（5）提供一导电基板，将其与所述键合层接合，移除临时基板，裸露出部分第二类型半导体层的表面和扩展电极；

（6）化学蚀刻裸露出来的第二类型半导体层的表面，形成粗化表面；

（7）在第二类型半导体层的表面上形成焊线电极，其与所述扩展电极形成闭合回路。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中在所述扩展电极的上方或下方形成金属掩膜层，所述金属掩膜层的面积＞扩展电极的面积。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中形成的金属掩膜层的厚度为10~200nm。

4.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中形成的金属掩膜层的边缘超出所述扩展电极的边缘至少2微米。

5.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中形成的金属掩膜层的材料选用Au、Cr、Ni、Ti或Pd。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中热处理的温度高于300℃。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（6）中以扩展电极以掩膜层，对所述第二类型半导体层的表面进行粗化蚀刻。

8.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（6）中，先在焊盘电极区域形成一光阻层掩膜层，再进行蚀刻。

9.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤（6）中，先在焊盘电极区域形成一绝缘层作为掩膜层，再进行蚀刻；所述步骤（7）中直接在所述绝缘层上形成焊盘电极。

10.一种发光二极管，采用前述权利要求1-9中的任一项制作方法制得。