[发明专利]透明显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种透明显示装置，包括TFT阵列基板和设置在基板上的显示单元，其特征在于，所述显示单元包括发光区和所述发光区以外的透光区，其中，所述发光区设置有发光元器件，所述发光元器件包括依次层叠设置在所述TFT阵列基板上的透明电极、发光层和反射电极；所述透光区在所述TFT阵列基板上依次设置有透明像素Bank和透明电极隔离柱；且所述透明电极隔离柱将相邻的所述发光元器件的反射电极隔离，形成相隔的线状反射电极；

所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作。

2.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱的高度高于所述发光区中反射电极的高度。

3.如权利要求2所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱的高度为500-5000nm。

4.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱采用透明光阻材料制备。

5.如权利要求1所述的透明显示装置，其特征在于，所述透明电极隔离柱为倒梯形结构。

6.如权利要求1-5任一所述的透明显示装置，其特征在于，所述发光元器件为QLED或OLED。

7.如权利要求6所述的透明显示装置，其特征在于，所述QLED中，所述发光层包括依次层叠设置在所述透明电极上的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层；或

所述OLED，所述发光层包括依次层叠设置在所述透明电极上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层。

8.如权利要求7所述的透明显示装置，其特征在于，所述QLED中，所述发光层还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层中的至少一层；或

所述OLED中，所述发光层还包括电子阻挡层、空穴阻挡层、激子限定层中的至少一层。

9.一种透明显示装置的制备方法，包括以下步骤：

提供TFT阵列基板，且所述TFT阵列基板中，TFT的栅极、S/D电极及驱动电路均采用透明导电材料制作；

在所述TFT阵列基板上制作图案化透明电极和透明像素Bank；

在所述透明像素Bank上制作透明电极隔离柱；

在所述图案化透明电极上沉积发光层；

在所述发光层、所述透明电极隔离柱上沉积一层反射电极，采用电极剥离膜剥离所述透明电极隔离柱上的反射电极。

10.如权利要求9所述的透明显示装置的制备方法，其特征在于，所述透明电极隔离柱、所述电极剥离膜满足如下关系：所述透明电极隔离柱的表面能小于所述电极剥离膜的表面能。