[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件。

背景技术

涉及半导体器件的电子器件在我们的日常生活中不可或缺。随着电子技术的进步，电子设备变得更复杂，并涉及更大量的用于执行所期望的多功能性的集成电路。因此，电子设备的制造包括组件和处理的越来越多的步骤以及用于产生电子设备中的半导体器件的材料。因此，存在关于简化生产步骤、提高生产效率和对每个电子设备降低相关制造成本的连续需求。

在制造半导体器件的操作中，半导体器件装配有多个包括具有热性能差的各种材料的集成组件。如此，集成组件处于不期望的配置。不期望的配置会导致半导体器件的产量损失、组件之间的接合性差、裂纹的发展、组件的分层等。此外，半导体器件的组件包括有限数量并且因此成本高的各种金属材料。组件的不期望的配置和半导体器件的产量损失会进一步加剧材料浪费，并因此制造成本会增加。

由于涉及具有不同材料的更多不同组件和半导体器件的制造操作的复杂性增加，所以修改半导体器件的结构和改进制作操作存在更多的挑战。如此，对改进用于制造半导体的方法和解决上述缺陷存在连续需求。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：第一管芯；第二管芯，连接至所述第一管芯，从而形成接合界面；所述第一管芯的焊盘，从所述第一管芯的聚合物层暴露；以及导电材料，位于所述焊盘上并且在平行于所述第一管芯和所述第二管芯的堆叠方向的方向上从所述焊盘延伸，并且所述导电材料延伸至顶面，所述顶面垂直地高于所述第二管芯的背侧，其中，所述背侧是与所述接合界面相对的表面。

本发明的另一实施例提供了一种三维(3D)半导体器件，包括：第一管芯；第二管芯，堆叠在所述第一管芯上方并且与所述第一管芯的导电结构垂直地接合；所述第一管芯的焊盘，通过所述第一管芯和所述第二管芯的接合与所述第二管芯电通信；以及导电材料，设置在所述焊盘上方，其中，所述导电材料从所述焊盘突出并且到达高于所述第二管芯的垂直层级。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一管芯；第二管芯，接合到所述第一管芯；衬底，位于所述第一管芯和所述第二管芯外部并且电连接至所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述第一管芯、所述第二管芯和所述衬底布置成垂直堆叠的方式；导电材料，从所述第一管芯的焊盘突出并且垂直地延伸至比所述第二管芯更高的层级，其中，所述第一管芯、所述第二管芯和所述衬底通过所述导电材料相互通信。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的半导体器件的示意图。

图2是根据一些实施例的具有导电层的半导体器件的示意图。

图3是根据一些实施例的具有焊盘的半导体器件的示意图。

图4是根据一些实施例的具有介电材料的半导体器件的示意图。

图5是根据一些实施例的具有穿孔的半导体器件的示意图。

图6是根据一些实施例的具有导电柱的半导体器件的示意图。

图7是根据一些实施例的具有另一管芯的半导体器件的示意图。

图8是根据一些实施例的焊盘暴露的半导体器件的示意图。

图9是根据一些实施例的具有聚合物层的半导体器件的示意图。

图10和图10A是根据一些实施例的具有要设置的导电材料的半导体器件的示意图。

图11和图11A是根据一些实施例的具有导电材料的半导体器件的示意图。

图12是根据一些实施例的接合有另一衬底的半导体器件的示意图。

图13是根据一些实施例的具有管芯的半导体器件的示意图。

图14是根据一些实施例的具有导电层的半导体器件的示意图。

图15是根据一些实施例的具有焊盘的半导体器件的示意图。

图16是根据一些实施例的具有介电材料的半导体器件的示意图。

图17是根据一些实施例的具有穿孔的半导体器件的示意图。

图18是根据一些实施例的具有导电柱的半导体器件的示意图。

图19是根据一些实施例的具有另一管芯的半导体器件的示意图。

图20是根据一些实施例的具有聚合物层的半导体器件的示意图。

图21是根据一些实施例的具有导电材料的半导体器件的示意图。