[发明专利]一种响应光谱可调节的光电探测器

权利要求书

1.一种响应光谱可调节的光电探测器，包括自下而上设置的绝缘衬底(1)、金属栅极(2)、第一绝缘隔离层(3)以及半导体层(4)，在所述半导体层(4)上两侧分别设有金属源极(5)和金属漏极(6)；其特征在于：在所述半导体层(4)上依次设有第二绝缘隔离层(7)及电光晶体覆盖层(9)；所述第二绝缘隔离层(7)及电光晶体覆盖层(9)隔离设置于所述金属源极(5)和金属漏极(6)之间；在所述第二绝缘隔离层(7)上间隔设置有等离激元金属纳米结构(8)；所述等离激元金属纳米结构(8)上端与所述电光晶体覆盖层(9)接触，下端与所述半导体层(4)相接触；在所述电光晶体覆盖层(9)上方两侧设置有用于外接电路的透明引出电极。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述半导体层(4)的材料为二氧化钛、氧化锌或硅的半导体，或者为石墨烯、过渡金属硫化物的二维材料。

3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述等离激元金属纳米结构(8)的形状为纳米球、纳米棒、纳米三角板、纳米盘或纳米蝴蝶结阵列。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述等离激元金属纳米结构(8)所采用的金属材料为金、银、铜、铝中的一种或由上述金属组成的合金。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述电光晶体覆盖层(9)的材料为磷酸二氢钾、磷酸二氢铵、铌酸锂、钽酸锂中的一种或者为介电常数可调节的透明导电氧化物。

6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述第一绝缘隔离层(3)和第二绝缘隔离层(7)材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅或氟化镁。

7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述金属源漏极材质为金、银、铜、铂、钛、镍、钴中的一种或由上述金属组成的合金。

8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述金属栅极(2)材料选用金、银、铜、铂、钛、镍、钴中的一种或由上述金属组成的合金。