[发明专利]一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611200641.7 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN106653999A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 何云;刘桂芝 申请(专利权)人: 上海南麟电子股份有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 霍尔 电流传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单芯片霍尔电流传感器,其特征在于,所述单芯片霍尔电流传感器至少包括:

正装于框架的承载区的霍尔传感器芯片,所述霍尔传感器芯片的焊盘通过金属连线与框架的第一引脚区连接;导体电流环位于所述霍尔传感器芯片的霍尔感应区域上方,其中,所述导体电流环为金属条带,与所述框架的第二引脚区连接;所述霍尔传感器芯片到所述导体电流环的距离小于所述导体电流环的宽度。

2.根据权利要求1所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述金属连线为焊线。

3.根据权利要求1所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述金属线为金属条带。

4.根据权利要求1所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述导体电流环的材质为铜。

5.根据权利要求1或4所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述导体电流环的两端分别连接所述第二引脚区的两个引脚,作为原边电流的输入输出端。

6.根据权利要求1所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述霍尔传感器芯片通过粘片胶与所述框架的承载区连接。

7.根据权利要求1所述的单芯片霍尔电流传感器,其特征在于:所述霍尔传感器芯片中的电路结构与所述霍尔感应区域位于同一面。

8.一种如权利要求1~7任意一项所述的单芯片霍尔电流传感器的制备方法,其特征在于,所述单芯片霍尔电流传感器的制备方法包括:

选取框架,所述框架包括引脚区及承载区;

将晶圆切割成独立的霍尔传感器芯片,并将所述霍尔传感器芯片固定于所述框架的承载区;

制作形成导体电流环,并采用条带键合工艺将所述导体电流环与所述框架上的第二引脚区连接;

对所述导体电流环与所述框架的第二引脚区之间的连接进行回流焊和清洗工艺;

将所述霍尔传感器芯片上的焊盘与所述框架上的第一引脚区连接;

通过塑封将所述框架、所述霍尔传感器芯片及所述导体电流环封装于一外壳内,其中,各引脚引出所述外壳。

9.根据权利要求8所述的单芯片霍尔电流传感器的制备方法,其特征在于:所述霍尔传感器芯片上的焊盘与所述框架上的第一引脚区通过条带键合工艺实现连接。

10.根据权利要求9所述的单芯片霍尔电流传感器的制备方法,其特征在于:对所述霍尔传感器芯片上的焊盘与所述框架上的第一引脚区之间的连接进行回流焊和清洗工艺。

11.根据权利要求8所述的单芯片霍尔电流传感器的制备方法,其特征在于:所述霍尔传感器芯片上的焊盘与所述框架上的第一引脚区通过焊线工艺实现连接。

12.根据权利要求8所述的单芯片霍尔电流传感器的制备方法,其特征在于:对各引脚进行电镀,并通过切筋成型。

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