[发明专利]一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺

说明书

本发明提供了一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，包括如下步骤：1)对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组；2)提供一个吸附垫，吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的多个型腔孔，用清水湿润腔孔，将蓝宝石晶片装入型腔孔中并使二者相对固定；3)将吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上对蓝宝石晶片进行粗抛光；4)将粗抛光后的蓝宝石晶片放置在双面抛光机的下抛光盘上进行精抛光。采用本发明的超薄蓝宝石晶片抛光工艺大大缩短抛光时间，提高了抛光效率，降低了生产成本，抛光后蓝宝石晶片的厚度比较薄，可以达到0.1～0.2mm，抛光质量稳定可靠，符合现有蓝宝石产品往更轻薄方向发展的趋势。

技术领域

本发明涉及蓝宝石晶片加工技术领域，特别地，涉及一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺。

背景技术

蓝宝石是一种集优良光学性能、物理性能和化学性能于一体的多功能氧化物晶体，其硬度仅次于金刚石达到莫氏9级，具有耐磨、耐高温、抗腐蚀、熔点高等特性，上述特性十分适用手机、手表、相机等产品的视窗屏。为了满足上述蓝宝石光学器件发展的要求，获得高平整、高亮度的表面，须对蓝宝石产品进行化学机械抛光，以减少或消除在对产品切割、研磨等工序中对产品的划伤，获得高平整度、高亮度的产品。

现有的蓝宝石产品厚度都比较厚，相对强度也比较大，抛光时用传统的双面抛光设备将产品放入比其自身薄的游星轮中进行抛光。但是随着科技发展，对产品的重量和厚度要求越来越苛刻，蓝宝石的厚度也越减越薄，比如目前手机发展的方向为大屏幕、超薄和低重量，蓝宝石密度较大，其尺寸越大，相对的重量也就越重，为了实现手机大轻薄的要求，只能降低蓝宝石的厚度。

中国专利CN201310557319.X公开了一种A-面蓝宝石晶片的表面抛光方法，首先配置抛光液，抛光液配置完成后，需保持循环搅拌的状态，以使抛光液中的固体成分悬浮均匀；然后在铜抛光机上将晶片贴于陶瓷盘上对晶片表面进行粗抛光，最后在单面抛光机上进行精抛光。采用该抛光方法抛光蓝宝石晶片抛光时间长，且该方法抛光的蓝宝石晶片的厚度在0.25mm以上，不能满足厚度小于0.25mm的蓝宝石晶片的抛光需求。

发明内容

为了克服现有技术不足，本发明提供一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，以满足抛光0.1～0.2mm超薄蓝宝石晶片的需求，该工艺简单，生产效率高，生产成本低。

为实现上述目的，本发明提供了一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，所述超薄蓝宝石晶片抛光后产品的厚度为0.1～0.2mm，所述抛光工艺包括如下步骤：

1)、对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.015mm以内；

2)、粗抛准备阶段：提供一个吸附垫，所述吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的型腔孔，所述型腔孔的深度低于蓝宝石晶片完成粗抛步骤之后的厚度，用清水湿润所述型腔孔，再将蓝宝石晶片装入所述型腔孔中，使二者相对固定；

3)、粗抛阶段：将上述吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上，铜盘上表面设有螺旋状或同心圆状的磨液槽，控制上压盘压紧所述吸附垫并带动所述吸附垫与上压盘同步转动，且上压盘与所述铜盘同向转动，注入粒径为3～5μm的钻石研磨液，所述铜盘对所述蓝宝石晶片进行粗抛光，整体压力为100～250g/cm2，所述铜盘的最高转速为15～45rpm，所述上压盘的最高转速为10～40rpm，且上压盘的转速与铜盘的转速不一致，抛光温度为25-38℃，单面抛光25～35min；