[发明专利]抗蓝光衰减的显示器件及显示装置

说明书

本实施例涉及一种抗蓝光衰减的显示器件及显示装置。该抗蓝光衰减的显示器件发光层中具有蓝光发光复合层，蓝光发光复合层包括至少两层蓝光发光子层以及至少一层电荷产生层。该抗蓝光衰减的显示器件通过将蓝光发光层设置为由多层蓝光发光子层与电荷产生层交替层叠串联在一起构成的复合结构，在整个蓝光发光复合层需要的亮度一定的情况下，叠层的蓝光发光复合层中的每一个单独的蓝光发光子层需要的亮度要小很多，从而需要施加在单独蓝光发光子层的电压以及通过其的电流密度就会小很多，最终使得每个单独蓝光发光子层中的蓝光材料的衰减要慢很多，最终可以有效解决整个显示器件中蓝光衰减更快的问题，提高蓝光发光复合层的使用寿命及发光的稳定性。

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，尤其是涉及一种抗蓝光衰减的显示器件及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED)和量子点发光二极管(QLED)是响应于施加的电压而发光的电子器件。Tang等人在Applied Physics Letters1987年51卷第913页、Journal ofApplied Physics 1989年第3610页以及美国专利No.4,769,292发表了高效的OLED。此后，众多包括聚合材料、具有交替的层结构的OLED被公开，并且器件性能得到提高。量子点(quantum dot，简称QD)是一种由II-VI族、III-V或IV-VI族元素组成的纳米颗粒，其受激发后可以发光。量子点的发光波长与量子点粒子的尺寸相关，因此可以通过控制量子点的尺寸，产生各种波长的可见光。此外，量子点材料具有光色纯度高、效率高、寿命长等优点，因此也是一种很有前景的电致发光材料，吸引了很多的研究。

无论是相对成熟的OLED还是正在开发中的QLED，都存在材料衰减的问题。相比之下蓝光的衰减速度要比红光和绿光快很多，这就造成了其显示面板在使用一段时间后会造成“红脸”的现象。传统的解决方法是增大蓝光像素的面积，例如在红光、绿光像素尺寸控制为60μm×120μm的同时将蓝光的像素尺寸为100μm×120μm，这样就可以在达到同样发光亮度的同时给蓝光像素的电流密度就会相对减小从而延长了蓝光材料的使用寿命。但是该技术方案增加了蓝光像素的面积，相应地就会降低显示屏幕的分辨率。另外，在印刷显示领域还有另一种解决方案。印刷技术可以用来加工OLED墨水和量子点墨水，其优点是成本低、产能高、易于实现大尺寸等。但无论是OLED墨水材料还是量子点材料，蓝光的衰减速度都比红光和绿光要快很多，所以有一种技术方案就是印刷和蒸镀相结合的方法，即使用印刷技术制备红光和绿光，使用蒸镀技术制备蓝光的混合结构。该技术需要同时使用两套设备系统，且由于使用蒸镀方式制备蓝光材料，使得红色和绿色发光层上有一层蓝光材料，会增加器件电压从而会增加器件或面板的功率损耗同时也会影响使得红光和绿光的色坐标发生一定的偏移。

发明内容

基于此，有必要提供一种抗蓝光衰减的显示器件及显示装置。

一种抗蓝光衰减的显示器件，包括依次层叠设置的衬底、第一电极层、发光层及第二电极层；所述发光层包括设置在所述第一电极层与所述第二电极层之间的红光发光层、绿光发光层以及蓝光发光复合层，所述红光发光层、所述绿光发光层及所述蓝光发光复合层共平面设置在所述第一电极层上，所述蓝光发光复合层包括至少两层蓝光发光子层以及至少一层电荷产生层，所述蓝光发光子层与所述电荷产生层交替层叠，且所述蓝光发光复合层中位于外侧的两层均为所述蓝光发光子层。

在其中一个实施例中，所述电荷产生层的材料包括p型有机半导体材料和n型有机半导体材料，且所述p型有机半导体材料和所述n型有机半导体材料均匀混合。

在其中一个实施例中，所述p型有机半导体材料的最高占据分子轨道能级小于5.5eV，所述n型有机半导体材料的最低未占据分子轨道能级大于4.0eV，且所述p型有机半导体材料的最高占据分子轨道能级和所述n型有机半导体材料的最低未占据分子轨道能级之差小于1eV。

在其中一个实施例中，所述p型有机半导体材料选自酞菁铜、酞菁锌、2,5-顺-(4-2苯基)-2噻吩、并五苯及并四苯中的一种或多种的混合物。