[发明专利]真空电弧离子镀膜方法

权利要求书

1.一种真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，用于对结构复杂的内机匣焊接组件进行真空电弧离子镀铬处理，包括以下步骤：

(1)预处理：待镀件用金相砂纸打磨后清洗；

(2)装炉：将待镀件安装在镀膜室内的转盘上，镀膜室抽真空，并对待镀件加热，加热完成后通入氩气；

(3)离子轰击：对待镀件施加轰击负偏压进行离子轰击；

(4)镀膜：对待镀件施加负偏压180V～250V，调节铬靶弧源的工作电流为80A～110A，镀铬10min～30min；降低负偏压至120V～180V，镀铬10min～30min；继续降低负偏压至80V～120V，镀铬180min～420min，其中，当负偏压降低至80V～120V后，每镀铬60min～180min，提高负偏压至350V～450V对待镀件进行离子轰击；

(5)出炉：将待镀件从镀膜室内取出。

2.根据权利要求1所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(2)具体为：将待镀件安装在镀膜室内的转盘上，镀膜室抽真空，当镀膜室的压力为5×10^-3Pa～8×10^-3Pa时，对待镀件进行加热，加热至温度为200℃～400℃；加热完成后通入氩气，使镀膜室的压力升高至0.6Pa～1.0Pa。

3.根据权利要求1所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(3)中，进行离子轰击的步骤为：施加轰击负偏压960V～1050V，轰击时间为3min～5min；降低轰击负偏压至700V～900V，引弧启动铬靶弧源，轰击3min～5min；继续降低轰击负偏压至500V～700V，轰击5min～10min；再次降低轰击负偏压至350V～450V，轰击时间为15min～30min。

4.根据权利要求3所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(3)中，进行离子轰击的步骤为：施加轰击负偏压1000V，轰击时间为4min；降低轰击负偏压至800V，引弧启动铬靶弧源，轰击4min；继续降低轰击负偏压至600V，轰击8min；再次降低轰击负偏压至400V，轰击时间为20min。

5.根据权利要求1所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(4)具体为：对待镀件施加负偏压200V，调节铬靶弧源的工作电流为90A，镀铬15min；降低负偏压至150V，镀铬15min；继续降低负偏压至100V，镀铬360min，其中，当负偏压降低至100V后，每镀铬90min，提高负偏压至400V对待镀件进行离子轰击，轰击时间为5min。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(4)中，镀膜室内实际的镀膜温度为300℃～600℃。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的真空电弧离子镀膜方法，其特征在于，

所述步骤(4)镀膜后，待镀件表面膜层厚度为5μm～10μm。