[发明专利]半导体器件及其形成方法和存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

具有氧化物-氮化物-氧化物结构的多堆叠介电层，位于所述半导体衬底上；

栅极，位于所述多堆叠介电层上；

导电层，形成在所述栅极上方；

吸气层，位于所述导电层上，其中，所述吸气层包括由钛、锆、和/或铪形成的第一层和位于所述第一层上的由氮化钽形成的第二层；以及

接合焊盘层，形成在所述吸气层上方，从而所述接合焊盘层电耦合至所述栅极，

其中，所述吸气层以所述接合焊盘层的最低底面作为最上边界、以围绕所述吸气层的第一介电层作为左右边界。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接合焊盘层的相对侧壁与所述第一介电层直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：源极和漏极，位于所述半导体衬底中并且每一个都横向邻近所述栅极。

4.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供设置在衬底上的半导体器件，其中，所述半导体器件包括具有氧化物-氮化物-氧化物结构的多堆叠介电层的半导体器件部件；

在所述衬底上方形成导电层，从而使得所述导电层电耦合至所述半导体器件部件；

在所述导电层上方形成吸气层，其中，所述吸气层包括由钛、锆、和/或铪形成的第一层和位于所述第一层上的由氮化钽形成的第二层；以及

在所述吸气层上方形成互连层，从而使得所述互连层电耦合至所述半导体器件部件，

所述吸气层以所述互连层的最低底面作为最上边界、以围绕所述吸气层的第一介电层作为左右边界。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述半导体器件是分离栅金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体(SG-MONOS)储存器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述半导体器件部件包括以下中的至少一种：所述分离栅金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体储存器件的源极部件、所述分离栅金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体储存器件的漏极部件、所述分离栅金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体储存器件的控制栅极部件、和所述分离栅金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体储存器件的选择部件。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述互连层的相对侧壁与所述第一介电层直接接触。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述吸气层配置为固定氢和水。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述吸气层的第一层包括的厚度，并且所述吸气层的第二层包括的厚度。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述吸气层包括物理汽相沉积(PVD)工艺。

11.根据权利要求4所述的方法，其中，所述互连层是接合焊盘层。

12.一种存储器件，包括：

具有氧化物-氮化物-氧化物结构的多堆叠介电层，位于衬底上；

第一导电层，位于所述多堆叠介电层上；

第二导电层，位于所述第一导电层上；

吸气层，位于所述第二导电层上，其中，所述吸气层包括由钛、锆、和/或铪形成的第一层和位于所述第一层上的由氮化钽形成的第二层；以及

互连层，位于所述吸气层上方，从而使得所述互连层电耦合至所述第一导电层，

其中，所述吸气层以所述互连层的最低底面作为最上边界、以围绕所述吸气层的第一介电层作为左右边界。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述互连层的相对侧壁与所述第一介电层直接接触。

14.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述第一导电层为栅极部件。