[发明专利]一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于薄膜太阳能电池制备的技术领域，特别涉及一种基于 Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃体异质结的太阳能电池的制备方法。

背景技术

钙钛矿材料为吸光层的太阳能电池已成为效率提升最迅速的一类新型电池，效率已突破20％。立方相的Cs₂SnI₆是钙钛矿结构CsSnI₃的氧化态，具有较高的载流子浓度和迁移率，在空气中可以稳定存在，可作为空穴传输材料，与有机空穴传输材料(spiro-OMeTAD、P3HT) 相比无机的Cs₂SnI₆具有稳定性高、制备简单、无污染、无毒的优势。

传统钙钛矿太阳能电池结构中界面产生较多缺陷使电子空穴在界面处发生复合，影响电流的输出进一步影响电池的光电转化效率。体异质结结构的钙钛矿太阳能电池与常规的平面异质结太阳能电池相比，简化了电池结构和制备工艺，减少了界面缺陷提高了光电转化效率，使大规模生产成为可能。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现存的技术不足，提供一种基于 Cs₂SnI₆& CH₃NH₃PbI₃体异质结的太阳能电池的制备方法。

本发明公开了一种Cs₂SnI₆作为空穴传输层材料、CH₃NH₃PbI₃作为吸光层材料的体异质结结构钙钛矿太阳能电池的制备方法及光电转换性能的表征。

本发明的Cs₂SnI₆钙钛矿变体材料及Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃体异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法为：(1)Cs₂SnI₆钙钛矿变体材料的制备方法：SnI₄的乙醇溶液与CsI的DMF溶液混合静置，析出Cs₂SnI₆晶体，过滤干燥备用。(2)Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃体异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法：首先在FTO透明导电玻璃上旋涂Cs₂SnI₆、 CH₃NH₃PbI₃混合溶液，退火使晶粒进一步长大；再旋涂一层PCBM薄膜，作为电子传输层；然后旋涂一层BCP电极修饰层，最后通过真空热蒸发蒸镀一层背电极，

上述方法的具体步骤如下：

(1)Cs₂SnI₆粉末制备：SnI₄粉末溶解在温热乙醇溶液中，Cs I 粉末溶解在DMF溶液中，将上述溶液混合静置析出Cs₂SnI₆晶体，过滤干燥；(2)将FTO透明导电玻璃切成1.6×1.7cm的基片，接着用碱液超声清洗30-60min，再用酒精超声清洗30-60min，最后用蒸馏水超声清洗10-30min，然后放入烘干箱干燥以备用；

(3)将PbI₂、CH₃NH₃I粉末按1:1摩尔比溶于二甲基甲酰胺(DMF) 中，70℃搅拌5h得前驱体溶液；

(4)在上述(3)中的前驱体溶液中加入Cs₂SnI₆粉末，室温搅拌2h得混合溶液；

(5)将上述(4)所得溶液旋涂在(2)中的FTO透明导电玻璃上，转速为4000r/min,100℃退火30min即得Cs₂SnI₆&CH₃NH₃PbI₃体异质结薄膜；

(6)在上述(5)制备的薄膜上旋涂一层PCBM层，作为电子传输层，转速为2000r/min；

(7)在上述(6)制备的薄膜表面旋涂一层BCP薄膜，作为电极修饰层，转速为3500r/min；