[发明专利]一种光催化剂CNB-BA及其制备方法有效
申请号: | 201611203066.6 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN106732726B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 崔玉民;李慧泉;苗慧;陶栋梁 | 申请(专利权)人: | 阜阳师范学院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;C02F1/32 |
代理公司: | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人: | 刘冬梅;路永斌 |
地址: | 236037 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光催化剂 cnb ba 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种光催化剂CNB‑BA,该光催化剂中CNB与巴比妥酸的重量0.5g:(1~60)mg,其在紫外光下对甲基橙等有机染料具有良好的催化降解效率,本发明还提供了一种制备该光催化剂的方法,其以硼源与碳氮源进行化合反应制得的石墨相氮化碳,再经过巴比妥酸对石墨相氮化碳进行改性,该方法操作简单,绿色环保。
技术领域
本发明涉及光催化领域,特别涉及一种光催化剂CNB-BA及其制备方法。
背景技术
石墨相氮化碳(g-C3N4)以其光催化活性较高、稳定性好、原料价格便宜、尤其是不含金属这一突出优点,使它成为一种新型的光催化材料,然而,单一相催化剂通常因量子效率低而使其光催化性能表现不够理想。
因g-C3N4材料光生电子-空穴复合率较高,导致其催化效率较低,从而限制了它在光催化方面的应用,为了提高g-C3N4的催化活性,最近几年来,人们研究了很多改性方法,对g-C3N4进行改性的非金属元素包括S、N、C、B、F、P等,一般认为这些非金属元素取代了3-s-三嗪结构单元中的C、N、H元素,从而形成g-C3N4晶格缺陷使得光生电子-空穴对得到有效分离,有效提高其光催化性能。
Zhang等将双氰胺与BmimPF6(离子液体)混合,经过高温煅烧后得到P掺杂g-C3N4催化剂,经XPS分析表明P元素取代了结构单元中C,少量P掺杂虽然不能改变g-C3N4的结构,但是,其明显改变了g-C3N4的电子结构,光生电流也明显高于没掺杂g-C3N4。
Yan等采用加热分解三聚氰胺与氧化硼的混合物制备了B掺杂g-C3N4,经过XPS光谱分析表明B取代了g-C3N4结构中的H,光催化降解染料研究表明B掺杂同时提高了催化剂对光的吸收,因此,罗丹明B光催化降解效率也得到提高。
Liu等将g-C3N4在H2S气氛里于450℃煅烧制备了具有独特电子结构S元素掺杂g-C3N4的CNS催化剂,XPS分析显示S取代了g-C3N4结构中N,当λ>300及420nm时S掺杂g-C3N4光催化分解水产氢催化效率分别比单一g-C3N4提高7.2和8.0倍。
Wang等报道了B、F掺杂g-C3N4研究,他们用NH4F作为F源与DCDA制得F元素掺杂g-C3N4催化剂(CNF),其研究结果表明F元素已掺入g-C3N4的骨架中,形成了C—F键,使其中一部分sp2C转化为sp3C,从而导致g-C3N4平面结构不规整;另外,随着F元素掺杂数量增多,CNF在可见光区域内的吸收范围也随之扩大,而其对应的带隙能由2.69eV降到2.63eV。
Wang等又用BH3NH3作为硼源制备B元素掺杂的g-C3N4催化剂(CNB),对其表征发现B元素掺入取代了g-C3N4结构单元中的C元素。
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